Патенти з міткою «омічний»
Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності
Номер патенту: 91417
Опубліковано: 10.07.2014
Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Ткачук Андрій Іванович, Ворощенко Андрій Тарасович, Сукач Андрій Васильович
МПК: H01L 31/06, H01L 21/04, H01L 31/00 ...
Мітки: омічний, провідності, р-типу, шарів, гетероструктурний, телуриду, контакт, полікристалічних, кадмію
Формула / Реферат:
Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.