Патенти з міткою «р-типу»

Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду р-типу

Завантаження...

Номер патенту: 93185

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Ткачук Андрій Іванович, Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: властивостей, термоелектричних, станум, спосіб, покращення, телуриду, р-типу, наноструктурованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду p-типу, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки випаровують при температурі ТВ, осаджують пару на підкладку із свіжих сколів (0001) слюди-мусковіт при температурі ТП, до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що температура випарника складає ТВ=(870±10)К, температура підкладки -...

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Ткачук Андрій Іванович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович, Ворощенко Андрій Тарасович

МПК: H01L 31/00, H01L 31/06, H01L 21/04 ...

Мітки: гетероструктурний, омічний, шарів, контакт, полікристалічних, телуриду, кадмію, провідності, р-типу

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу на основі bі-tе-sе-sb для сегментних термоелементів

Завантаження...

Номер патенту: 62274

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Струтинська Любов Тимофіївна, Копил Олександр Іванович, Термена Ірина Святославівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: р-типу, термоелементів, основі, термоелектричного, процес, bi-te-se-sb, матеріалу, отримання, сегментних

Формула / Реферат:

Процес виготовлення термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів Ві-Te-Se-Sb, що складається з етапів синтезу, охолодження, вертикальної зонної перекристалізації з подальшим контролем параметрів матеріалу, який відрізняється тим, що виготовляється матеріал з електропровідністю (), більшою від розрахованої на 100-150 Ом-1 см-1; проводять послідуючий відпал матеріалу...

Спосіб текстурування поверхні фосфіду індію р-типу

Завантаження...

Номер патенту: 53712

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Балан Олександр Сергійович, Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович, Коноваленко Анатолій Анатольович

МПК: H01L 21/306

Мітки: поверхні, спосіб, р-типу, індію, текстурування, фосфіду

Формула / Реферат:

1. Cпосіб виготовлення текстурованих структур з розвиненою морфологією на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу, а саме фотоелектрохімічного травлення, що проводять у розчині плавикової бромоводневої кислоти концентрацією НВr:Н2О=1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у 50% розчині бромідної кислоти при щільності струму 150 мА/см2 та часі анодування 8 хв.3. Спосіб за п. 1, який...

Спосіб отримання поруватої поверхні фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення

Завантаження...

Номер патенту: 49947

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Віталійович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: отримання, індію, поверхні, травлення, фотоелектрохімічного, поруватої, фосфіду, р-типу, спосіб, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ІnР у розчині 5% соляної кислоти при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2 протягом 15 хв.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять при освітленні зразків...

Спосіб отримання телуриду германію р-типу

Завантаження...

Номер патенту: 40445

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Юрчишин Любов Дмитрівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: H01L 31/00

Мітки: р-типу, спосіб, телуриду, германію, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду германію р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та пресують, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують...

Спосіб отримання термоелектричного телуриду германію р-типу

Завантаження...

Номер патенту: 36477

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Любов Дмитрівна

МПК: C22C 1/02, C30B 11/02

Мітки: телуриду, спосіб, отримання, термоелектричного, р-типу, германію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду германію р-типу, який полягає в тому, що вихідні компоненти - свинець, срібло, вісмут, германій, телур - розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, потім ампулу з вихідними компонентами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду олова р-типу

Завантаження...

Номер патенту: 34225

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: р-типу, спосіб, сплавів, телуриду, олова, основі, оптимізованих, термоелектричних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду олова р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів bi i sb

Завантаження...

Номер патенту: 10479

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: твердих, отримання, основі, термоелектричного, розчинів, провідності, процес, матеріалу, р-типу, халькогенідів

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Ві і Sb, який включає етапи синтезу, охолодження, вертикальну зонну перекристалізацію та подальше вимірювання розподілу значень термоелектрорушійної сили (термоЕРС) і електропровідності вздовж злитка, який відрізняється тим, що невідповідні параметрам початкові та кінцеві за напрямком росту частини злитка відрізають і повторно сплавляють...