Патенти з міткою «телуриду»

Номер патенту: 122646

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Окрепка Галина Михайлівна, Тинкевич Олена Олександрівна, Халавка Юрій Богданович

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00

Мітки: нанокристалів, синтезу, телуриду, колоїдного, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб колоїдного синтезу нанокристалів кадмію телуриду високої концентрації шляхом змішування прекурсорів кадмію та телуру в присутності стабілізуючого ліганду, який відрізняється тим, що як прекурсор телур використовують свіжоприготовлений розчин політелуридів, який отримують шляхом пропускання гідрогену телуриду через 1М водний розчин натрію гідроксиду, рН якого варіюється в межах 8-12, до зміни забарвлення розчину на фіолетове.

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Василь Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Оптасюк Сергій Васильович, Серпак Наталія Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Тріщук Любомир Іванович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/46

Мітки: нанокристалів, високочистих, колоїдних, спосіб, синтезу, розчинів, кадмію, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Номер патенту: 115794

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Коваленко Назар Олегович, Терзін Ігор Сергійович, Капустник Олексій Костянтинович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалічний, іч-лазерів, ізовалентною, кадмію-марганцю, телуриду, твердого, активних, заліза, елементів, матеріал, домішкою, основі, легованого, розчину

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.

Номер патенту: 112507

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Оптасюк Сергій Васильович, Курик Андрій Онуфрійович, Борук Сергій Дмитрович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C30B 29/46, C30B 7/08

Мітки: телуриду, розчиннику, органічно-неорганічному, нанокристалів, синтезу, спосіб, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсору кадмію - CdI2, прекурсору телуру – H2Te, модифікатора - тіогліколевої кислоти та регулятора кислотності колоїдного розчину NaOH в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв, який відрізняється тим, що синтез здійснюють в колоїдному розчині, який додатково містить метанол при наступному мольному співвідношенні компонентів:метанол - (3,1±0,1)´10-1...

Номер патенту: 110400

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Томашик Василь Миколайович, Копач Олег Вадимович, Іваніцька Валентина Григорівна, Маланич Галина Петрівна, Фочук Петро Михайлович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/465

Мітки: спосіб, хімічної, телуриду, твердих, обробки, основі, кадмію, поверхні, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб хімічної обробки поверхні кадмій телуриду та твердих розчинів на його основі, що включає механічне полірування поверхні кристалів, та їх хімічне полірування рідкофазним травником, який відрізняється тим, що кристали хімічно полірують у дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 2-3 хвилин хіміко-механічне полірування травником, виготовленим на основі 4 % -го за масою розчину йоду у метанолі (базовий розчин Б1) та етиленгліколю...

Номер патенту: 110303

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Василь Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович

МПК: C01B 17/20, C01B 19/04, C01G 11/00 ...

Мітки: монодисперсних, телуриду, розчині, нанокристалів, отримання, кадмію, спосіб, колоїдному

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що отриманий колоїдний розчин нанокристалів додатково розділяють на різні фракції за розмірами нанокристалів шляхом седиментаційного осадження за допомогою додавання до колоїдного розчину...

Номер патенту: 105846

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Борук Сергій Дмитрович, Будзуляк Сергій Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Капуш Ольга Анатоліївна, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: C01G 11/00, C01B 19/04, C30B 7/08 ...

Мітки: телуриду, синтезу, кадмію, спосіб, нанокристалів, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6•10-2-1,15•10-1 моль/л шляхом взаємодії прекурсорів в реакторі повного змішування напівперіодичної дії впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що нанокристали кадмію телуриду в процесі синтезу додатково легують домішковими атомами рідкоземельних елементів з...

Номер патенту: 103984

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Борук Сергій Дмитрович, Курик Андрій Онуфрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: C01G 11/00, C01B 19/04, C30B 7/00 ...

Мітки: кадмій, світловипромінюючого, виготовлення, основі, пристрою, спосіб, нанокристалів, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого у видимій спектральній області пристрою, який включає нанесення шару світловипромінюючої речовини в суміші з полімером на ультрафіолетовий світлодіод та подальше висушування, який відрізняється тим, що світловипромінюючою речовиною служить водний розчин стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe з концентрацією (1,1·0,1)10-5 моль/л із 50±1,5 % водним розчином полімеру, причому...

Номер патенту: 102352

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Курик Андрій Онуфрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Морозовська Валентина Йосипівна, Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Борук Сергій Дмитрович

МПК: C01G 11/00, C01B 19/04, C30B 7/08 ...

Мітки: колоїдного, синтезу, стабілізованих, нанокристалів, кадмію, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л що включає взаємодію прекурсорів в періодичному реакторі повного змішування впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють трансфер отриманих у водному середовищі нанокристалів CdTe в диметилформамід шляхом прикапування...

Номер патенту: 99205

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Зинюк Олександр Васильович, Курик Андрій Онуфрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00

Мітки: твердотільних, структур, спосіб, наногетерогенних, кадмій, нанокристалів, основі, телуриду, люмінесцентних, плівкових, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наногетерогенних твердотільних люмінесцентних плівкових структур на основі нанокристалів кадмій телуриду (CdTe), який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії відповідних прекурсорів в деіонізованій воді в реакторі періодичної дії, змішування отриманого розчину нанокристалів CdTe із водним розчином полімеру, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на...

Номер патенту: 95348

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Литвин Оксана Степанівна, Копил Олександр Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Маланич Галина Петрівна, Литвин Петро Мар'янович, Стратійчук Ірина Борисівна, Томашик Василь Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: твердих, спосіб, поверхні, pb1-xsnxte, формування, полірованої, телуриду, кристалів, розинів, плюмбум

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...

Номер патенту: 93185

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Ткачук Андрій Іванович, Чав'як Іван Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: р-типу, телуриду, спосіб, наноструктурованого, станум, властивостей, термоелектричних, покращення

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду p-типу, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки випаровують при температурі ТВ, осаджують пару на підкладку із свіжих сколів (0001) слюди-мусковіт при температурі ТП, до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що температура випарника складає ТВ=(870±10)К, температура підкладки -...

Номер патенту: 93184

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Чав'як Іван Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, телуриду, ситалових, термоелектричного, станум, отримання, спосіб, наноструктурованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Тв, осаджують пару на підкладку при температурі Тп до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Тв=(870±10) К, температура...

Номер патенту: 92850

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Зінаїда Федорівна, Демчина Любомир Андрійович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Курик Андрій Онуфрійович, Тріщук Любомир Іванович

МПК: C30B 28/00, C01B 19/00, C01G 11/00 ...

Мітки: телуриду, нанокристалів, спосіб, стабілізованих, синтезу, розчині, колоїдному, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині протягом 2-9 хв. з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти в деіонізованій воді з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л, який відрізняється тим, що після закінчення процесів формування нанокристалів кадмію телуриду у деіонізованій воді в колоїдний розчин додатково додають 5 %-й розчин желатину та інгібітор...

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 31/06 ...

Мітки: провідності, гетероструктурний, кадмію, полікристалічних, шарів, р-типу, телуриду, омічний, контакт

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Номер патенту: 88968

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Капуш Ольга Анатоліївна, Курик Андрій Онуфрійович, Тріщук Любомир Іванович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C01B 19/00, C01G 11/00, C01B 17/20 ...

Мітки: кадмій, телуриду, твердотільний, синтезу, нанокристалів, спосіб, вібраційностійких, матриці

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в твердотільній матриці, який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії прекурсорів в деіонізованій воді, полімеризацію матриці із синхронним інкорпоруванням в матрицю утворених нанокристалів, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на підкладку та висушування утвореної плівки за відсутності освітлення, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 86545

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Калитчук Сергій Михайлович, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Василь Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович, Тріщук Любомир Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C01G 11/00, C03B 7/00

Мітки: нанокристалів, кадмію, синтезу, спосіб, колоїдному, розчині, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л і водного розчину підсилювача дії модифікатора, який відрізняється тим, що як підсилювач дії модифікатора використовують розчин гліцерину з концентрацією 9-11 %.

Номер патенту: 80799

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Люба тетяна Сергіївна, Фреїк Дмитро Михайлович, Криськов Цезарій Андрійович

МПК: C22C 43/00

Мітки: легованого, отримання, телуриду, плюмбум, спосіб, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованого термоелектричного плюмбум телуриду, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 72767

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович, Калитчук Сергій Михайлович, Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00

Мітки: стабілізованих, спосіб, синтезу, кадмій, телуриду, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу стабілізованих нанокристалів кадмій телуриду, що здійснюють в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, який відрізняється тим, що колоїдний розчин додатково містить етиленгліколь з концентрацією 9-11 %, як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв.

Номер патенту: 62707

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Калитчук Сергій Михайлович, Щербак Лариса Павлівна, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Халавка Юрій Богданович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: H01L 51/00, H01L 33/00, H01L 21/04 ...

Мітки: основі, оптрон, телуриду, кадмію, квантових, точок

Формула / Реферат:

Оптрон, який складається з фотоприймача та світловипромінюючого пристрою, який відрізняється тим, що фотоприймачем є гетерофотоелемент, виготовлений із шаруватих напівпровідників GaSe та InSe, а світловипромінюючий пристрій виконаний у вигляді електролюмінесцентної багатошарової полімерної матриці з квантовими точками телуриду кадмію, яка нанесена на поверхню GaSe.

Номер патенту: 62626

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Косоловський Василь Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/06

Мітки: кадмію, кристалів, телуриду, спосіб, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію, що включає їх відпал у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі легуючої домішки Mg при температурі 820-900 °С.

Номер патенту: 62087

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Харун Лідія Тарасівна, Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Юрчишин Ігор Костянтинович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, наноструктурованого, спосіб, телуриду, станум

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки SnTe при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (0001) слюди при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп= (420-520) К.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 56872

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Скрипник Микола Володимирович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 21/00, C30B 31/00, C30B 25/00 ...

Мітки: спосіб, провідністю, цинку, отримання, шарів, телуриду, електронною

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnTe та їх легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок у насиченій парі олова при температурі 950±50 °С.

Номер патенту: 54854

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Калитчук Сергій Михайлович, Демчина Любомир Андрійович, Халавка Юрій Богданович, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Щербак Лариса Павлівна

МПК: C01B 17/20, C30B 7/00, C01G 11/00 ...

Мітки: спосіб, кадмію, розміру, нанокристалів, телуриду, синтезу, заданого

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів телуриду кадмію заданого розміру в колоїдному розчині вихідних реактивів в деіонізованій воді, що містять телур і кадмій, який відрізняється тим, що синтез проводять при рН= 12,0-12,3 в інертній атмосфері при кімнатних температурах тривалістю 1-6 хвилин, як джерела кадмію використовують Cd(C104)2.6H2O, джерела телуру - телуроводень Н2Те, а колоїдний розчин додатково містить пасиватори -тіогліколеву кислоту (TGA)...

Номер патенту: 54833

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, наноструктур, характеристик, телуриду, свинцю, термоелектричних, покращення

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.2....

Номер патенту: 54832

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Харун Лідія Тарасівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: C23C 14/24

Мітки: наноструктурованого, свинцю, отримання, підкладках, спосіб, телуриду, ксі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....

Номер патенту: 51831

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00, H01L 37/00, H01L 35/00 ...

Мітки: отримання, спосіб, термоелектричного, свинцю, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю, який полягає в тому, що вихідні високочисті свинець, телур, взяті у певних масових співвідношеннях речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, яку нагрівають до температури, вищої від температури плавлення сполуки РbТе, і витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують в режимі виключеної печі, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 46030

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Никируй Ростислав Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович, Бачук Василь Васильович, Ліщинський Ігор Мирославович

МПК: B82B 1/00, H01F 41/00

Мітки: телуриду, квантово-розмірних, свинцю, структур, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки AIVBVI при температурі випаровування наважки ТВ, осаджують на підкладки при температурі ТП протягом певного часу t, який відрізняється тим, що як підкладку вибирають попередньо окислені монокристали кремнію SiО2-Si.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 44461

Опубліковано: 12.10.2009

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C22C 1/02

Мітки: германію, телуриду, олова, термоелектричних, основі, свинцю, сплавів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини (~1250 К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву...

Номер патенту: 42339

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Купчак Ігор Мирославович, Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Щербак Лариса Павлівна, Демчина Любомир Андрійович

МПК: H01L 51/50, H05B 33/22, H01L 33/00 ...

Мітки: пристрій, світловипромінюючий, квантових, кадмію, телуриду, основі, точок

Формула / Реферат:

Світловипромінюючий пристрій на основі квантових точок телуриду кадмію, що виконаний у вигляді одно- або багатошарової полімерної матриці з квантовими точками, який відрізняється тим, що квантові точки виготовлені з нанокристалів телуриду кадмію, а плівка полімерної матриці виготовлена з неспряженого поліелектроліту полідіаладіамінамодіум хлорид.

Номер патенту: 40877

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Білань Олег Ігорович, Яворський Віктор Теофілович, Кунтий Орест Іванович, Калимон Ярослав Андрійович

МПК: C25D 9/00

Мітки: плівок, спосіб, телуриду, кадмію, електрохімічного, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб електрохімічного отримання плівок кадмію телуриду, що включає електроліз CdC2 і Те-вмісного компоненту в диметилсульфоксидному розчині, який відрізняється тим, що електроліз здійснюють за пульсуючого струму, а як Те-вмісний компонент використовують розчинну сіль телуру.2. Спосіб за п, 1, який відрізняється тим, що як розчинну сіль телуру використовують TeCl4.

Номер патенту: 40445

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Юрчишин Любов Дмитрівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: H01L 31/00

Мітки: р-типу, германію, отримання, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду германію р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та пресують, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують...

Номер патенту: 40444

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: p-типу, спосіб, отримання, олова, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду олова р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець, вісмут, телур і...

Номер патенту: 40443

Опубліковано: 10.04.2009

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C22C 11/00

Мітки: телуриду, свинцю, n-типу, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 39125

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Данилишин Мирослава Олегівна, Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, термоелектричного, телуриду, p-типу, сплаву, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного сплаву телуриду свинцю р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець,...

Номер патенту: 39124

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Любов Дмитрівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: телуриду, термоелектричних, спосіб, отримання, германію, сплавів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду германію, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та пресують, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 39123

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: термоелектричними, свинцю, покращеними, отримання, параметрами, телуриду, n-типу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що завантаження вихідних речовин в...

Номер патенту: 36477

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Любов Дмитрівна

МПК: C30B 11/02, C22C 1/02

Мітки: телуриду, спосіб, термоелектричного, р-типу, отримання, германію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду германію р-типу, який полягає в тому, що вихідні компоненти - свинець, срібло, вісмут, германій, телур - розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, потім ампулу з вихідними компонентами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Номер патенту: 36476

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: термоелектричного, спосіб, отримання, олова, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду олова, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, вісмут, олово і телур, взяті у відповідних масових співвідношеннях, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування,...

Номер патенту: 36475

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: отримання, спосіб, n-типу, термоелектричного, телуриду, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, двойодистий свинець, нікель і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...