Ткачук Андрій Іванович

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович, Дзундза Богдан Степанович, Матківський Остап Миколайович

МПК: B82B 3/00

Мітки: тонких, покращення, бісмутом, основі, легованого, p-типу, властивостей, спосіб, термоелектричних, плівок, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Номер патенту: 93185

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович, Ткачук Андрій Іванович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращення, наноструктурованого, властивостей, р-типу, спосіб, телуриду, станум, термоелектричних

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду p-типу, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки випаровують при температурі ТВ, осаджують пару на підкладку із свіжих сколів (0001) слюди-мусковіт при температурі ТП, до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що температура випарника складає ТВ=(870±10)К, температура підкладки -...

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: H01L 31/00, H01L 31/06, H01L 21/04 ...

Мітки: кадмію, р-типу, провідності, шарів, гетероструктурний, полікристалічних, омічний, контакт, телуриду

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Номер патенту: 70485

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Ткачук Андрій Іванович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C23C 14/04

Мітки: термоелектричних, омічних, вимірювання, виготовлення, параметрів, спосіб, контактів, маски, три-омега, методі, напилення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення маски для напилення омічних контактів у три-омега (3w) методі вимірювання термоелектричних параметрів, який полягає в тому, що на досліджуваний зразок наносять тонку смужку металу, що використовується у якості нагрівача, який відрізняється тим, що додатково виготовляють з пластинки із інструментальної сталі типу Р9 маску з чотирма квадратними отворами, через яку на металеву смужку-нагрівач наносять срібні омічні...

Номер патенту: 70132

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Борик Віктор Васильович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: G01R 27/08

Мітки: спосіб, покращення, теплопровідності, контакту, електричного, вимірюванні

Формула / Реферат:

Спосіб покращення електричного контакту при вимірюванні теплопровідності, який полягає в тому, що на досліджуваний зразок наносять тонку смужку металу, що використовується як нагрівач, який відрізняється тим, що на металеву смужку-нагрівач наносять додатково срібні омічні контакти осадженням з парової фази у вакуумі.

Номер патенту: 67492

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Терлецький Андрій Іванович, Борик Віктор Васильович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: G01K 7/00

Мітки: електричних, комутації, сигналів, вимірюванні, параметрів, термоелектричних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб комутації електричних сигналів при вимірюванні термоелектричних параметрів, у якому використовують комірку з двома нагрівниками, хромелеві та алюмелеві термопари, генератор стабільного струму, який відрізняється тим, що комутацію між хромелевими та алюмелевими термопарами здійснюють за допомогою восьмипозиційного перемикача.

Номер патенту: 60221

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович, Галущак Мар'ян Олексійович, Карпаш Максим Олегович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, термоелектричних, спосіб, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі  який...

Номер патенту: 54833

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, наноструктур, телуриду, свинцю, покращення, термоелектричних, характеристик

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.2....