Патенти з міткою «hвч»

Hвч фільтр

Завантаження...

Номер патенту: 28444

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Попов Володимир Валентинович, Ющенко Олександр Георгійович, Ільченко Михайло Юхимович

МПК: H01P 1/20

Мітки: фільтр, hвч

Формула / Реферат:

1. СВЧ фильтр, содержащий отрезок запредельного волновода прямоугольного сечения, в котором установлен диэлектрический вкладыш резонансных размеров, термокомпенсирующий элемент, соединенный с диэлектрическим вкладышем и расположенный вне отрезка волновода, отличающийся тем, что диэлектрический вкладыш выполнен с переменным поперечным сечением и присоединен к термокомпенсирующему элементу своей узкой частью вне отрезка волновода.2. СВЧ...

Hвч перемикач

Завантаження...

Номер патенту: 25462

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Бойченко Максим Павлович, Кобак Микола Миколайович, Гассанов Лев Гассанович, Кудлай Олексій Володимирович, Войтович Андрій Миколайович, Босий Віталій Ісайович

МПК: H01P 1/10

Мітки: перемикач, hвч

Формула / Реферат:

СВЧ переключатель, содержащий первую, вторую и третью микрополосковые линии передачи, одни из концов этих микрополосковых линий передачи соединены вместе, а вторые образуют соответственно вход и первый и второй выходы, первый и второй арсенид галлиевые полевые транзисторы с затвором Шотки (ПТШ), причем первый полевой транзистор подключен истоком к точке соединения первой, второй и третьей микрополосковой линии передачи, стоком к первому...

Hапівпровідhиковий hвч діод

Завантаження...

Номер патенту: 15048

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Буторін Вячеслав Михайлович, Карушкін Микола Федорович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/868

Мітки: діод, hвч, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий меза-структуру в виде кольца и диэлектрическую втулку, установленные соосно на металлическом теплоотводе, металлическую крышку в виде диска, присоединенную через контактный элемент к верхнему торцу диэлектрической втулки, и к металлизированному торцу кольцевой меза-структуры, отличающийся тем, что ширина кольца меза-структуры выбрана равной глубине скинслоя в области взаимодействия носителей заряда в...