H01L 47/00 — Прилади з негативним об’ємним опором, наприклад прилади з ефектом Ганна; способи і пристрої, спеціально призначені для виготовлення та обробки таких приладів або їх частин

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Зайцев Борис Васильович, Слєпова Олександра Станіславівна, Виноградов Анатолій Олегович, Веремійченко Георгій Микитович, Семенов Олександр Володимирович, Кудрик Ярослав Ярославович, Коростинська Тамара Василівна, Сліпокуров Віктор Сергійович

МПК: H01L 29/861, H01L 47/00

Мітки: діод, фосфід-індієвий, ганна

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Слєпова Олександра Станіславівна, Сай Павло Олегович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Голинна Тетяна Іванівна, Семенов Олександр Володимирович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: ганна, діод, основі

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Раєвська Нелля Сергіївна

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: фосфіду, діод, ганна, індію

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Міленін Віктор Володимирович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Бєляєв Олександр Євгенійович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Конакова Раїса Васильйовна, Веремійченко Георгій Микитович, Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: індія, діод, фосфіду, ганна

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: надвисокочастотний, ганна, діод, арсеніду, галію, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Номер патенту: 32488

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Челюбеєв Віктор Миколайович, Родіонов Михайло Кузьмич

МПК: H01L 47/00

Мітки: ганна, діод

Номер патенту: 15048

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Буторін Вячеслав Михайлович, Карушкін Микола Федорович

МПК: H01L 29/868, H01L 47/00

Мітки: діод, hапівпровідhиковий, hвч

Формула / Реферат:

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий меза-структуру в виде кольца и диэлектрическую втулку, установленные соосно на металлическом теплоотводе, металлическую крышку в виде диска, присоединенную через контактный элемент к верхнему торцу диэлектрической втулки, и к металлизированному торцу кольцевой меза-структуры, отличающийся тем, что ширина кольца меза-структуры выбрана равной глубине скинслоя в области взаимодействия носителей заряда в...