H01L 29/868 — pin діоди
Надвисокочастотний p-i-n-діод з карбіду кремнію
Номер патенту: 46834
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Уріцкая Надія Ярославівна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Кривуца Валентин Антонович, Личман Кирило Олексійович, Голинная Тетяна Іванівна, Басанець Володимир Васильович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: кремнію, карбіду, надвисокочастотний, p-i-n-діод
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...
Напівпровідниковий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 43851
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Личман Кирило Олексійович, Голинная Тетяна Іванівна, Уріцкая Надія Ярославівна, Болтовець Микола Силович, Кривуца Валентин Антонович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: p-і-n, напівпровідниковий, надвисокочастотний, діод
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод
Номер патенту: 8455
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Болтовець Микола Силович, Сєдова Марина Олексійовна, Суворова Лідія Михайлівна, Басанець Володимир Васильович
МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...
Мітки: надвисокочастотний, р-і-n-діод, кремнієвий, безкорпусний
Формула / Реферат:
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...
Hапівпровідhиковий hвч діод
Номер патенту: 15048
Опубліковано: 30.06.1997
Автори: Буторін Вячеслав Михайлович, Карушкін Микола Федорович
МПК: H01L 47/00, H01L 29/868
Мітки: діод, hапівпровідhиковий, hвч
Формула / Реферат:
Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий меза-структуру в виде кольца и диэлектрическую втулку, установленные соосно на металлическом теплоотводе, металлическую крышку в виде диска, присоединенную через контактный элемент к верхнему торцу диэлектрической втулки, и к металлизированному торцу кольцевой меза-структуры, отличающийся тем, что ширина кольца меза-структуры выбрана равной глубине скинслоя в области взаимодействия носителей заряда в...