Патенти з міткою «ксі»

Номер патенту: 54832

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Харун Лідія Тарасівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Юрчишин Ігор Костянтинович

МПК: C23C 14/24

Мітки: спосіб, наноструктурованого, телуриду, отримання, свинцю, підкладках, ксі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....