Патенти з міткою «підкладках»

Номер патенту: 120280

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна

МПК: H01L 31/073, G02B 1/10, C23C 14/02 ...

Мітки: поруватих, спосіб, отримання, плівок, підкладках, zno:al

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки ZnO:Al на поруватих підкладках CdTe, який відрізняється тим, що дану плівку отримують методом золь-гель з наступним центрифугуванням на поверхні поруватих зразків CdTe, отриманих методом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як легуючий реактив використовують хлорид алюмінію АlСl3∙6Н2О.

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: ситалових, отримання, snte:sb, наноструктур, спосіб, p-типу, значною, термо-е.р.с, підкладках

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Номер патенту: 108257

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Пеффер Робін М., Ракієвіч Едвард Ф.

МПК: C08G 59/30, C25D 13/00, C09D 5/44 ...

Мітки: містять, застосування, підкладках, покриття, лантаніди, електроосаджувані, алюмінієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб створення покриття на алюмінієвій підкладці, що включає пропускання електричного струму між підкладкою, що виступає анодом, і катодом, які знаходяться в електричному контакті з ванною електроосадження, в якому ванна електроосадження містить водну дисперсію смоли, що містить:(a) нейтралізовану основою негельовану фосфатовану епоксидну смолу; і(b) оксид лантаніду, який містить лантанід, що має міру окислення +3 і/або...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: p-snte:bi, підкладках, отримання, напівпровідникових, структур, спосіб, ситалових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Номер патенту: 97315

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Арсенюк Інна Олександрівна, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричного, основі, матеріалу, p-snte:bi, слюди, тонкоплівкового, спосіб, підкладках, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровування  і температурі осадження

Номер патенту: 93184

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Чав'як Іван Ігорович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктурованого, термоелектричного, підкладках, станум, телуриду, отримання, ситалових, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Тв, осаджують пару на підкладку при температурі Тп до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Тв=(870±10) К, температура...

Номер патенту: 87031

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, термоелектричного, підкладках, n-рbте:ві, спосіб, конденсату, ситалових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Лисюк Юрій Васильович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, термоелектричними, напівпровідникових, покращеними, властивостями, ситалових, спосіб, підкладках, отримання, n-pbte:bi

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Вівчарук Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: підкладках, шарів, формування, монокристалічних, кремнієвих, епітаксійних, спосіб, арсенід-галієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Номер патенту: 54832

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Юрчишин Ігор Костянтинович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Харун Лідія Тарасівна

МПК: C23C 14/24

Мітки: наноструктурованого, спосіб, отримання, ксі, підкладках, свинцю, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....

Номер патенту: 39127

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Никируй Ростислав Іванович, Борик Віктор Васильович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: скляних, спосіб, підкладках, aivbvi, нанокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалів AIVBVI на скляних підкладках методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують скляні підкладки, які розміщують у верхній частині камери при певній температурі.

Номер патенту: 22074

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Надха Олег Сергійович, Желтов Павло Миколайович, Чорний Зіновій Денисович, Мащенко Олександр Миколайович, Кравченко Іван Сергійович, Назаренко Олег Пантелеймонович, Зєвако Василь Сергійович

МПК: G01N 27/00, G01N 21/00

Мітки: підкладках, пристрій, покриття, контролю, діелектричного, металічних, стану, неруйнівного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для неруйнівного контролю стану діелектричного покриття на металічних підкладках, що містить блок живлення, ключовий елемент у вигляді ємності та тиристора, високовольтний трансформатор, з виходом якого з'єднаний зондуючий електрод, який відрізняється тим, що додатково містить елемент дозування та стабілізації кількості енергії на вході високовольтного трансформатора, світлозахисну камеру з вікном спостереження, яка закриває...

Номер патенту: 15146

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Мащенко Олександр Миколайович, Назаренко Олег Пантелеймонович, Желтов Павло Миколайович, Шелухін Володимир Васильович, Земляной Юрій Іванович, Руденко Сергій Іванович, Надха Олег Сергійович, Чорний Зіновій Денисович

МПК: G01N 27/00

Мітки: діелектричними, високочастотного, металічних, підкладках, електромагнітного, неруйнівного, напруги, використанням, пристрій, об'єктів, покриттями, поля, контролю, високої

Формула / Реферат:

1. Пристрій для неруйнівного контролю об'єктів з діелектричними покриттями на металічних підкладках з використанням високочастотного електромагнітного поля високої напруги, який містить фотографічну камеру з вікном, за яким протягують світлочутливу фотоплівку, металічний електрод, розташований за фотоплівкою на ізоляторі всередині фотокамери і підключений до генератора високої частоти, при цьому вікно перекрите непрозорою діелектричною...

Номер патенту: 70589

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Мироненко Наталя Григорівна, Гнілорибов Андрій Михайлович, Попандопуло Андрій Генадійович, Корчак Оксана Михайлівна, Гринь Владислав Костянтинович, Зубов Дмитро Олександрович

МПК: A61P 41/00, A61B 17/322

Мітки: спосіб, хондроцитів, еквівалента, лікування, застосуванням, містяться, дефектів, захворювань, vitro, натуральн, культивованих, змодельованого, основі, дегенеративних, тривимірного, хряща, підкладках

Формула / Реферат:

Спосіб лікування дефектів і дегенеративних захворювань хряща із застосуванням тривимірного 3-D еквівалента хряща, змодельованого на основі in vitro культивованих хондроцитів, що містяться у підкладках натурального або синтетичного походження, який включає клітинну трансплантацію хондроцитів, який відрізняється тим, що трансплантовані у місце ранового дефекту хондроцити є внесеними до підкладок натурального або синтетичного походження.