Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках ксі
Номер патенту: 54832
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Юрчишин Ігор Костянтинович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Харун Лідія Тарасівна
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.
2. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, який відрізняється тим, що товщина отриманих наноструктур складає 45-52 нм.
Текст
1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КСl, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому 3 54832 РbTe, яку випаровують при певній температурі Тв, а при температурі Тп осаджують протягом певного часу t на підкладки (001) КС1. Температура випаровування складає Тв=(700±10) °С, а температура осадження (підкладки) складала Тп =(270±5) °С. Температури випарника, осадження, а також час експозиції визначають структуру та товщину осадженого наноматері Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 4 наноматеріалу. Перелік фігур креслення Фіг. 1. Залежність термоелектричної потужності S2 від товщини d для свіжо вирощених плівок РbТе. Температура випаровування складає Тв=(700±10) °С, а температура осадження (підкладки) Тп =270 °С. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for producing nanostructural lead telluride on the substrates from kcl
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Dzundza Bohdan Stepanovych, Yurchyshyn Ihor Kostiantynvych, Harun Lidiia Tarasivna
Назва патенту російськоюСпособ получения наноструктурированного теллурида свинца на подложках kcl
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Юрчишин Игорь Константинович, Харун Лидия Тарасовна
МПК / Мітки
МПК: C23C 14/24
Мітки: підкладках, телуриду, свинцю, отримання, ксі, наноструктурованого, спосіб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-54832-sposib-otrimannya-nanostrukturovanogo-teluridu-svincyu-na-pidkladkakh-ksi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках ксі</a>
Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю
Номер патенту: 46030
Опубліковано: 10.12.2009
Автори: Чав'як Іван Ігорович, Ліщинський Ігор Мирославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Ростислав Іванович, Бачук Василь Васильович
МПК: H01F 41/00, B82B 1/00
Мітки: телуриду, свинцю, структур, спосіб, квантово-розмірних, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки AIVBVI при температурі випаровування наважки ТВ, осаджують на підкладки при температурі ТП протягом певного часу t, який відрізняється тим, що як підкладку вибирають попередньо окислені монокристали кремнію SiО2-Si.2. Спосіб за п. 1, який...
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю – телуриду тербію
Номер патенту: 43163
Опубліковано: 15.11.2001
Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Нижникевич Володимир Всеволодович
МПК: C22C 5/00, C22C 1/00, C30B 1/00, C22C 32/00
Мітки: тербію, свинцю, отримання, спосіб, телуриду, термоелектричних, сплавів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю - телуриду тербію, який полягає у тому, що вихідну речовину, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи тербію (Тb)...
Спосіб отримання плівок телуриду свинцю із великими рухливостями в атмосфері водню
Номер патенту: 50129
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Рувінський Борис Маркович, Никируй Любомир Іванович, Довгий Олег Ярославович, Фреїк Андрій Дмитрович
МПК: C30B 11/02
Мітки: рухливостями, плівок, атмосфери, отримання, водню, спосіб, телуриду, свинцю, великими
Формула / Реферат:
Спосіб отримання плівок телуриду свинцю із великими рухливостями в атмосфері водню, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом випаровування наперед синтезованої речовини і осадження пари на нагріті підкладки із слюди, який відрізняється тим, що плівки РbТе вирощують в атмосфері водню при тиску P(H2)=10-2-10 Па, температура випаровування наважки складає Тв=700-1100К, температура осадження плівок -...
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності
Номер патенту: 30706
Опубліковано: 11.03.2008
Автор: Борик Віктор Васильович
МПК: C21D 1/00
Мітки: n-типу, телуриду, сплавів, провідності, отримання, свинцю, термоелектричних, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...
Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу
Номер патенту: 40443
Опубліковано: 10.04.2009
Автор: Борик Віктор Васильович
МПК: C22C 11/00
Мітки: свинцю, спосіб, n-типу, отримання, телуриду
Формула / Реферат:
Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...
Попередній патент: Спосіб виробництва литих виробів
Наступний патент: Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю
Випадковий патент: Профільна балка для проведення бетонних робіт