Дзундза Богдан Степанович

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ростислав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C01B 19/00, B82B 3/00, C01G 30/00 ...

Мітки: наноструктур, спосіб, слюди, snte:sb, високою, термо-е.р.с, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Номер патенту: 101359

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: слюди, термоелектричною, питомою, потужністю, високою, наноструктур, snte:sb, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Никируй Любомир Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, покращеною, структур, потужністю, тонкоплівкових, p-типу, отримання, спосіб, snte:bi, термоелектричною, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Костюк Оксана Богданівна, Дзундза Богдан Степанович, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, отримання, структур, p-snte:bi, підкладках, спосіб, ситалових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матківський Остап Миколайович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричних, властивостей, спосіб, покращення, провідності, основі, тонких, p-типу, плівок, бісмутом, легованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Номер патенту: 97315

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Арсенюк Інна Олександрівна, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: основі, тонкоплівкового, отримання, матеріалу, підкладках, спосіб, слюди, термоелектричного, p-snte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровування  і температурі осадження

Номер патенту: 93185

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: телуриду, властивостей, покращення, р-типу, термоелектричних, станум, наноструктурованого, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду p-типу, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки випаровують при температурі ТВ, осаджують пару на підкладку із свіжих сколів (0001) слюди-мусковіт при температурі ТП, до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що температура випарника складає ТВ=(870±10)К, температура підкладки -...

Номер патенту: 93184

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, термоелектричного, ситалових, наноструктурованого, отримання, телуриду, станум, підкладках

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Тв, осаджують пару на підкладку при температурі Тп до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Тв=(870±10) К, температура...

Номер патенту: 87031

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, конденсату, термоелектричного, ситалових, спосіб, отримання, n-рbте:ві

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур...

Номер патенту: 84495

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Криницький Олександр Степанович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: структур, основі, n-pbte:bi, отримання, термоелектричних, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-РbТе:Ві, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) К на підкладки ситалу при температурі Тп=(470±10) К, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві із вмістом легуючої домішки...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, термоелектричними, n-pbte:bi, спосіб, підкладках, наноструктур, напівпровідникових, ситалових, покращеними, властивостями

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Номер патенту: 62087

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Харун Лідія Тарасівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: станум, отримання, телуриду, спосіб, наноструктурованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки SnTe при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (0001) слюди при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп= (420-520) К.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Потяк Володимир Юрійович, Соколов Олександр Леонідович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: багатошарових, отримання, наноструктур, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Номер патенту: 54834

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Бачук Василь Васильович, Никируй Ростислав Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктурованого, отримання, поліаміді, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого РbТе на поліаміді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв = (700±10) °С, температура підкладки - Тп = (120-160) °С, час осадження t =...

Номер патенту: 54832

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Дзундза Богдан Степанович, Харун Лідія Тарасівна

МПК: C23C 14/24

Мітки: підкладках, свинцю, наноструктурованого, телуриду, отримання, спосіб, ксі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....

Номер патенту: 39127

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Никируй Ростислав Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: aivbvi, нанокристалів, скляних, отримання, спосіб, підкладках

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалів AIVBVI на скляних підкладках методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують скляні підкладки, які розміщують у верхній частині камери при певній температурі.

Номер патенту: 39122

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Борик Віктор Васильович, Никируй Ростислав Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: матеріалів, наноструктурних, отримання, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері з температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник з наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують аморфну підкладку, на якій формуються розорієнтовані нанокристалічні структури.

Номер патенту: 18236

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 25/18

Мітки: нанокристалів, слюди, орієнтованих, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів АIV ВIV на слюді методом газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що як підкладки використовують сколи (0001) слюди-мусковіту, на яких ростуть орієнтовані площинами {111} нанокристалічні тетраедри.