Юрчишин Ігор Костянтинович

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Юрчишин Ігор Костянтинович, Фреїк Дмитро Михайлович, Чобанюк Володимир Михайлович, Лисюк Юрій Володимирович, Никируй Любомир Іванович

МПК: H01L 21/20, C30B 11/02, C30B 11/00 ...

Мітки: матеріалу, отримання, квантово-розмірного, спосіб, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Номер патенту: 62087

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Юрчишин Ігор Костянтинович, Харун Лідія Тарасівна, Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: телуриду, станум, отримання, наноструктурованого, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки SnTe при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (0001) слюди при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп= (420-520) К.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 54832

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Дзундза Богдан Степанович, Харун Лідія Тарасівна

МПК: C23C 14/24

Мітки: отримання, ксі, наноструктурованого, підкладках, спосіб, свинцю, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....