Патенти з міткою «cu6ps5i»

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Мікула Маріан, Бендак Андрій Васильович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: основі, тонкої, міді, рентгенівського, матеріалу, cu6ps5i, реєстрації, плівки, йодид-пентатіофосфату, застосування, випромінювання

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Рибак Стефан Олександрович, Куш Петер, Мікула Маріан

МПК: H01M 6/18, C23C 14/35

Мітки: джерела, одержання, йодид-пентатіофосфату, енергії, твердоелектролітичного, матеріалу, cu6ps5i, тонких, спосіб, основі, міді, високопровідних, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер, Рибак Стефан Олександрович

МПК: H01M 6/18, H01M 4/28, C01G 3/00 ...

Мітки: твердоелектролітичного, високопровідних, джерела, спосіб, cu6ps5i, матеріалу, міді, основі, енергії, плівок, йодид-пентатіофосфату, тонких, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Тімко Мілан, Студеняк Віктор Ігорович, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: нього, нематичного, провідника, підвищення, 6снвт, наночастинок, внесення, шляхом, кристалу, спосіб, провідності, електричної, cu6ps5i, суперіонного, рідкого

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: спрямовано, cu6ps5i, методом, розплаву, купрум(і)пентатіофосфату(v, йодиду, кристалізації, спосіб, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пентатіофосфату(v, йодиду, розплаву, вирощування, методом, cu6ps5i, спрямовано, спосіб, кристалізації, купрум(і, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Сусліков Леонід Михайлович, Бучук Роман Юрійович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: основі, нанокристалічного, міді, застосування, джерела, cu6ps5i, енергії, суперіонної, йодид-пентатіофосфату, кераміки, твердоелектролітичного, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Чомоляк Артем Анатолійович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: cu6ps5i, міді, застосування, матеріалу, джерела, твердоелектролітичного, аморфної, основі, енергії, плівки, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 64541

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Сусліков Леонід Михайлович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: енергії, cu6ps5i, міді, твердоелектролітичного, основі, застосування, нанокристалічного, матеріалу, йодид-пентатіофосфату, джерела, кераміки, суперіонної

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу іонну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 94851

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Прітц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01M 6/00

Мітки: міді, джерела, твердоелектролітичного, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, енергії, матеріал, суперіонної, кераміки, основі

Формула / Реферат:

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено із суперіонної кераміки мікрокристалічної структури, а саме з мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, при цьому матеріал має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації.

Номер патенту: 54729

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Бучук Роман Юрійович, Прітц Іван Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: енергії, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, міді, застосування, твердоелектролітичного, основі, джерела, мікрокристалічного, cu6ps5i, кераміки, суперіонної

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, що має високу іонну провідність та низьку енергію активації, як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 85158

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Пріц Іван Павлович, Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: міді, йодидпентатіофосфату, композита, матеріалу, твердоелектролітичного, cu6ps5i, енергії, полікристалічного, джерела, застосування

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодидпентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 38013

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Бучук Роман Юрійович, Пріц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович

МПК: H01L 29/00

Мітки: застосування, твердоелектролітичного, полікристалічного, cu6ps5i, міді, йодид-пентатіофосфату, енергії, композита, матеріалу, джерела

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 83930

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: застосування, енергії, йодид-пентатіофосфату, джерела, твердоелектролітичного, cu6ps5i, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6PS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 23103

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Біланчук Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, cu6ps5i, застосування, твердоелектролітичного, матеріалу, міді, джерела, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.