Патенти з міткою «мікроелектронний»

Сторінка 3

Мікроелектронний сенсор швидких нейтронів

Завантаження...

Номер патенту: 61396

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01T 3/00

Мітки: швидких, мікроелектронний, сенсор, нейтронів

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів біполярний транзистор, джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено чутливий до радіації нейтронів другий біполярний транзистор, перший, другий і третій резистори, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому, перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий...

Мікроелектронний детекторний пристрій швидких нейтронів

Завантаження...

Номер патенту: 61395

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Кадук Борис Григорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01T 3/00

Мітки: мікроелектронний, швидких, детекторний, нейтронів, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний детекторний пристрій швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний транзистор, резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до бази біполярного транзистора,...

Мікроелектронний давач газу

Завантаження...

Номер патенту: 48600

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/12

Мітки: мікроелектронний, газу, давач

Формула / Реферат:

Мікроелектронний давач газу, що містить польовий газочутливий транзистор, який відрізняється тим, що в нього введені два джерела постійної напруги, два газочутливих польових транзистори, два резистори і дві ємності, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до затвору першого польового газочутливого транзистора, витік якого з'єднаний з...

Мікроелектронний давач вологості

Завантаження...

Номер патенту: 46381

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/22

Мітки: давач, вологості, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний давач вологості, який містить в собі два біполярних вологочутливих транзистори, який відрізняється тим, що в нього введені третій біполярний вологочутливий транзистор, чотири резистори, дві ємності і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою першого вологочутливого біполярного...

Мікроелектронний оптичний давач

Завантаження...

Номер патенту: 44001

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 27/14

Мітки: оптичний, давач, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний оптичний давач, який містить два джерела постійної напруги, фоторезистор, польовий транзистор і ємність, який відрізняється тим, що введені два оптичночутливих біполярних транзистори, резистор, друга ємність, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом фоторезистора, а другий вивід фоторезистора з'єднаний із базою першого оптичночутливого біполярного транзистора, колектор якого...

Мікроелектронний пристрій для виміру вологості

Завантаження...

Номер патенту: 43044

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 25/56

Мітки: мікроелектронний, вологості, виміру, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру вологості, який містить два вологочутливих польових транзистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені два резистори, ємність, третій вологочутливий польовий транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого вологочутливого...

Мікроелектронний вимірювач тиску

Завантаження...

Номер патенту: 41666

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H04R 19/00

Мітки: тиску, мікроелектронний, вимірювач

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач тиску, який містить джерело постійної напруги, польовий транзистор, резистор і ємність, який відрізняється тим, що в нього введені друге джерело постійної напруги, два чутливих до тиску біполярних транзистори, друга ємність і другий резистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою першого чутливого до...

Мікроелектронний генератор електричних коливань

Завантаження...

Номер патенту: 41665

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H03C 7/00

Мітки: мікроелектронний, електричних, коливань, генератор

Формула / Реферат:

Мікроелектронний генератор електричних коливань, який містить польовий транзистор, ємність і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено другий і третій польові транзистори, перший і другий резистори, друга ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс пер­шого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого...

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 41013

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82

Мітки: мікроелектронний, магнітної, індукції, вимірювач

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції, який містить магніточутливий польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені два магніточутливих польових транзистора, два резистори, дві ємності і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого магніточутливого...

Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 40239

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 33/06

Мітки: виміру, мікроелектронний, індукції, пристрій, магнітної

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені магніточутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом магніточутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід магніточутливого...

Мікроелектронний вимірювач освітленості

Завантаження...

Номер патенту: 40238

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 27/14

Мітки: вимірювач, освітленості, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач освітленості, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені оптичночутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом оптичночутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід оптичночутливого  тунельно-резонансного діода...

Мікроелектронний пристрій для виміру тиску

Завантаження...

Номер патенту: 40237

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01L 9/04, H04R 19/00

Мітки: мікроелектронний, тиску, пристрій, виміру

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру тиску, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені тензочутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом тензочутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід тензочутливого тунельно-резонансного діода...

Мікроелектронний вимірювач температури

Завантаження...

Номер патенту: 40236

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01K 7/01

Мітки: вимірювач, мікроелектронний, температури

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач температури, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що в нього введені термочутливий тунельно-резонансний діод, конденсатор і пасивна індуктивність, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом термочутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід термочутливого тунельно-резонансного діода...

Мікроелектронний пристрій виміру температури

Завантаження...

Номер патенту: 40299

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01K 7/34, G01K 7/00, G01K 7/16 ...

Мітки: температури, виміру, мікроелектронний, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій виміру температури, який містить джерело постійної напруги, генератор електричних коливань на основі двох термочутливих біполярних транзисторів, чотирьох резисторів і двох ємностей, який відрізняється тим, що в нього введено третій термочутливий біполярний транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід...

Мікроелектронний датчик тиску

Завантаження...

Номер патенту: 36583

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Ніконова Зоя Андріївна, Левінзон Давид Іделевич, Небеснюк Оксана Юр'ївна

МПК: G01R 27/26

Мітки: датчик, тиску, мікроелектронний

Текст:

...двох взаємозв'язаних контурів був використаний феритовий вентиль типу ЕЕВ-7, який забезпечує "пряме" послаблення 0,8 дб та "зворотнє" - 20 дб. На величину стабільності резонансної частоти цього пристрою впливають багато факторів: флук туації живлячих напруг, нестабільність струмів, зміна геометричних розмірів зазору резонатора 4 під дією температури, тиску, вібрацій та ін. Однак головним фактором, який призводить до зміни резонансної...