Патенти з міткою «мікроелектронний»
Мікроелектронний сенсор швидких нейтронів
Номер патенту: 61396
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01T 3/00
Мітки: швидких, мікроелектронний, сенсор, нейтронів
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів біполярний транзистор, джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено чутливий до радіації нейтронів другий біполярний транзистор, перший, другий і третій резистори, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому, перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий...
Мікроелектронний детекторний пристрій швидких нейтронів
Номер патенту: 61395
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Кадук Борис Григорович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01T 3/00
Мітки: мікроелектронний, швидких, детекторний, нейтронів, пристрій
Формула / Реферат:
Мікроелектронний детекторний пристрій швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний транзистор, резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до бази біполярного транзистора,...
Мікроелектронний давач газу
Номер патенту: 48600
Опубліковано: 15.08.2002
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01N 27/12
Мітки: мікроелектронний, газу, давач
Формула / Реферат:
Мікроелектронний давач газу, що містить польовий газочутливий транзистор, який відрізняється тим, що в нього введені два джерела постійної напруги, два газочутливих польових транзистори, два резистори і дві ємності, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до затвору першого польового газочутливого транзистора, витік якого з'єднаний з...
Мікроелектронний давач вологості
Номер патенту: 46381
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01N 27/22
Мітки: давач, вологості, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний давач вологості, який містить в собі два біполярних вологочутливих транзистори, який відрізняється тим, що в нього введені третій біполярний вологочутливий транзистор, чотири резистори, дві ємності і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою першого вологочутливого біполярного...
Мікроелектронний оптичний давач
Номер патенту: 44001
Опубліковано: 15.01.2002
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01L 27/14
Мітки: оптичний, давач, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний оптичний давач, який містить два джерела постійної напруги, фоторезистор, польовий транзистор і ємність, який відрізняється тим, що введені два оптичночутливих біполярних транзистори, резистор, друга ємність, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом фоторезистора, а другий вивід фоторезистора з'єднаний із базою першого оптичночутливого біполярного транзистора, колектор якого...
Мікроелектронний пристрій для виміру вологості
Номер патенту: 43044
Опубліковано: 15.11.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01N 25/56
Мітки: мікроелектронний, вологості, виміру, пристрій
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру вологості, який містить два вологочутливих польових транзистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені два резистори, ємність, третій вологочутливий польовий транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого вологочутливого...
Мікроелектронний вимірювач тиску
Номер патенту: 41666
Опубліковано: 17.09.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: H04R 19/00
Мітки: тиску, мікроелектронний, вимірювач
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач тиску, який містить джерело постійної напруги, польовий транзистор, резистор і ємність, який відрізняється тим, що в нього введені друге джерело постійної напруги, два чутливих до тиску біполярних транзистори, друга ємність і другий резистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою першого чутливого до...
Мікроелектронний генератор електричних коливань
Номер патенту: 41665
Опубліковано: 17.09.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: H03C 7/00
Мітки: мікроелектронний, електричних, коливань, генератор
Формула / Реферат:
Мікроелектронний генератор електричних коливань, який містить польовий транзистор, ємність і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено другий і третій польові транзистори, перший і другий резистори, друга ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого...
Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції
Номер патенту: 41013
Опубліковано: 15.08.2001
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01L 29/82
Мітки: мікроелектронний, магнітної, індукції, вимірювач
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції, який містить магніточутливий польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені два магніточутливих польових транзистора, два резистори, дві ємності і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого магніточутливого...
Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції
Номер патенту: 40239
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01R 33/06
Мітки: виміру, мікроелектронний, індукції, пристрій, магнітної
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені магніточутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом магніточутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід магніточутливого...
Мікроелектронний вимірювач освітленості
Номер патенту: 40238
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01L 27/14
Мітки: вимірювач, освітленості, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач освітленості, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені оптичночутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом оптичночутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід оптичночутливого тунельно-резонансного діода...
Мікроелектронний пристрій для виміру тиску
Номер патенту: 40237
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01L 9/04, H04R 19/00
Мітки: мікроелектронний, тиску, пристрій, виміру
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру тиску, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені тензочутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом тензочутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід тензочутливого тунельно-резонансного діода...
Мікроелектронний вимірювач температури
Номер патенту: 40236
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01K 7/01
Мітки: вимірювач, мікроелектронний, температури
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач температури, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що в нього введені термочутливий тунельно-резонансний діод, конденсатор і пасивна індуктивність, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом термочутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід термочутливого тунельно-резонансного діода...
Мікроелектронний пристрій виміру температури
Номер патенту: 40299
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01K 7/34, G01K 7/00, G01K 7/16 ...
Мітки: температури, виміру, мікроелектронний, пристрій
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій виміру температури, який містить джерело постійної напруги, генератор електричних коливань на основі двох термочутливих біполярних транзисторів, чотирьох резисторів і двох ємностей, який відрізняється тим, що в нього введено третій термочутливий біполярний транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід...
Мікроелектронний датчик тиску
Номер патенту: 36583
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Ніконова Зоя Андріївна, Левінзон Давид Іделевич, Небеснюк Оксана Юр'ївна
МПК: G01R 27/26
Мітки: датчик, тиску, мікроелектронний
Текст:
...двох взаємозв'язаних контурів був використаний феритовий вентиль типу ЕЕВ-7, який забезпечує "пряме" послаблення 0,8 дб та "зворотнє" - 20 дб. На величину стабільності резонансної частоти цього пристрою впливають багато факторів: флук туації живлячих напруг, нестабільність струмів, зміна геометричних розмірів зазору резонатора 4 під дією температури, тиску, вібрацій та ін. Однак головним фактором, який призводить до зміни резонансної...