Патенти з міткою «мікроелектронний»
Мікроелектронний координатно-чутливий детектор мас-спектрометра
Номер патенту: 94103
Опубліковано: 11.04.2011
Автори: Прокоф'єв Юрій Володимирович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Сидорчук Володимир Миколайович, Забродіна Ольга Миколаївна, Хоменко Сергій Миколаєвич, Єременко Віктор Митрофанович, Вербицький Володимир Григорович, Борискін Олександр Іванович, Сторижко Володимир Юхимович, Сидоренко Володимир Павлович, Шелехов Андрій Володимирович
МПК: H01J 49/00, G01T 1/28
Мітки: координатно-чутливий, мас-спектрометра, мікроелектронний, детектор
Формула / Реферат:
Мікроелектронний координатно-чутливий детектор мас-спектрометра, який має в своєму складі одну або кілька мікроканальних пластин і одну або кілька великих інтегральних схем (ВІС), кожна з яких має лінійку з n провідних електродів для приймання зарядів, двійкові лічильники імпульсів, n+1-розрядний послідовно-паралельний регістр зсуву, входи "Читання", "Такт", "Стоп", "Початок читання", "Включення...
Мікроелектронний сенсор рівня рідини з частотним виходом
Номер патенту: 55475
Опубліковано: 10.12.2010
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна
МПК: H01L 27/00, G01J 1/44
Мітки: сенсор, частотним, виходом, мікроелектронний, рідини, рівня
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор рівня рідини з частотним виходом, який містить оптоволоконний розгалужувач, що має першу та другу оптоволоконну лінію та вихідні оптоволокна, джерело світла, фотодіод, причому джерело світла підключене до оптоволоконного розгалужувача через першу оптоволоконну лінію, а фотодіод підключений до оптоволоконного розгалужувача через другу оптоволоконну лінію, який відрізняється тим, що введено вимірювальне коло, яке...
Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності
Номер патенту: 55474
Опубліковано: 10.12.2010
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01L 27/00, G01J 1/44
Мітки: потужності, оптично, сенсор, мікроелектронний, частотний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело...
Мікроелектронний витратомір газу
Номер патенту: 54121
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Насадюк Руслан Миколайович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01F 1/34
Мітки: газу, мікроелектронний, витратомір
Формула / Реферат:
Мікроелектронний витратомір газу, який містить вимірювальну камеру, три резистори, два джерела постійної напруги, два термочутливі біполярні транзистори і три ємності, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом першої ємності і першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний із базою першого...
Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках
Номер патенту: 46501
Опубліковано: 25.12.2009
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Плахотнюк Максим Миколайович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01L 21/00
Мітки: неосновних, дифузійної, заряду, визначення, довжини, напівпровідниках, мікроелектронний, пристрій, носіїв
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, який містить лазерне джерело світла, розташоване над діафрагмою та оптично зв'язане з фокусуючою системою, яка складається з фокусуючих лінз, а також з джерела живлення і системи контактів, з'єднаних із зразком, та паралельно з'єднаних з опором навантаження, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу,...
Мікроелектронний витратомір газу з частотним виходом
Номер патенту: 88959
Опубліковано: 10.12.2009
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
Мітки: частотним, мікроелектронний, виходом, газу, витратомір
Формула / Реферат:
Мікроелектронний витратомір газу з частотним виходом, що містить вимірювальну камеру, чотири резистори та джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього додатково введені перший і другий термочутливі біполярні транзистори, розміщені у вимірювальній камері, біполярний транзистор, перша і друга ємності та друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого...
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури
Номер патенту: 88814
Опубліковано: 25.11.2009
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01K 7/00
Мітки: пристрій, температури, вимірювання, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури, що містить польовий транзистор, конденсатор, резистор та перше і друге джерела напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введені біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика...
Мікроелектронний частотний витратомір газу
Номер патенту: 88537
Опубліковано: 26.10.2009
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
Мітки: газу, частотний, мікроелектронний, витратомір
Формула / Реферат:
Мікроелектронний частотний витратомір газу, що містить вимірювальну камеру, чотири резистори та джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього додатково введені перший термочутливий біполярний транзистор, розміщений у вимірювальній камері, другий і третій біполярні транзистори, перша і друга ємності та друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з’єднаний з першим виводом першого...
Мікроелектронний пристрій для контролю параметрів оптично прозорих напівпровідників
Номер патенту: 43410
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Плахотнюк Максим Миколайович, Осадчук Володимир Степанович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: H01L 21/70
Мітки: контролю, прозорих, пристрій, оптично, мікроелектронний, параметрів, напівпровідників
Формула / Реферат:
Мікроелектроний пристрій для контролю параметрів оптично прозорих напівпровідників, який містить джерело світла, оптично зв'язане з фокусуючою системою, джерело живлення і систему контактів, з'єднаних із зразком, який відрізняється тим, що в нього введено мікроелектронний частотний перетворювач, що містить дільник напруги з двох резисторів, польовий та біполярний транзистори, індуктивність, ємність, резистор і два джерела постійної напруги,...
Мікроелектронний піроелектричний сенсор температури з частотним виходом
Номер патенту: 42780
Опубліковано: 27.07.2009
Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01K 7/00
Мітки: мікроелектронний, сенсор, виходом, температури, частотним, піроелектричний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний піроелектричний сенсор температури з частотним виходом, який містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор, перше і друге джерела напруги, загальну шину, причому до стоку польового транзистора підключена перша вихідна клема та перший вивід пасивної індуктивності, другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, а другий вивід конденсатора...
Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності
Номер патенту: 87585
Опубліковано: 27.07.2009
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна
Мітки: мікроелектронний, вимірювання, теплової, пристрій, потужності
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності, який містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор та перше і друге джерела напруги, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, а в пристрій додатково введений біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, причому затвор польового транзистора з...
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності
Номер патенту: 87584
Опубліковано: 27.07.2009
Автори: Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01J 1/44
Мітки: сенсор, потужності, мікроелектронний, оптично
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори та резистор, який відрізняється тим, що додатково містить другий і третій МДН-фототранзистори, при цьому всі МДН-фототранзистори виконані шляхом створення зі зворотної сторони підкладки під областю каналу глибоких пазів, площа перерізу (А) кожного з яких задовольняє співвідношеннюA<S/n, деS - площа каналу,...
Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом
Номер патенту: 42211
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01L 27/00, G01J 1/44
Мітки: мікроелектронний, виходом, частотним, оптичного, випромінювання, вимірювач
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим,...
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури
Номер патенту: 42207
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01J 1/44, H01L 27/00
Мітки: мікроелектронний, структури, оптичного, фоточутливої, основі, сенсор, випромінювання, транзисторної
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний...
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом
Номер патенту: 42205
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01J 1/44, H01L 27/00
Мітки: сенсор, потужності, оптично, мікроелектронний, виходом, частотним
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, пасивну...
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом
Номер патенту: 41856
Опубліковано: 10.06.2009
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович
МПК: G01K 7/00
Мітки: вимірювання, елементом, піроелектричним, активним, пристрій, температури, індуктивним, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом, який містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерела напруги, загальну шину, який відрізняється тим, що на затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання, введено два біполярних транзистори з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, другий...
Мікроелектронний оптичний сенсор температури
Номер патенту: 41612
Опубліковано: 25.05.2009
Автори: Яремчук Володимир Федорович, Кравчук Наталія Сергіївна, Смішний Сергій Миколайович
МПК: G01K 11/00
Мітки: мікроелектронний, температури, сенсор, оптичний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний оптичний сенсор температури, який містить джерело світла, фотоприймач, з'єднані світловодом, що має серцевину, оточену оболонкою, і термочутливий елемент, введено перетворювач оптичного сигналу в частотний, який містить два назустріч ввімкнених фотодіоди, конденсатор і індуктивний елемент, під'єднані паралельно фотодіодом, аноди яких з'єднані, при цьому катод першого фотодіода під'єднаний до першого виводу першого...
Мікроелектронний електрично керований помножувач частоти
Номер патенту: 38347
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Семенова Олена Олександрівна, Коваль Костянтин Олегович, Семенов Андрій Олександрович
МПК: H03B 19/00
Мітки: помножувач, керований, мікроелектронний, електричної, частоти
Формула / Реферат:
Мікроелектронний електрично керований помножувач частоти, який містить джерело постійної напруги, ємність, біполярний транзистор і загальну шину, який відрізняється тим, що в нього введено другий і третій біполярні транзистори, індуктивність, перший, другий, третій і четвертий резистори, другу і третю ємності, друге джерело постійної напруги, причому перший вивід першої ємності з'єднаний з першою вхідною клемою, другий вивід першої ємності...
Мікроелектронний вимірювач тиску з частотним виходом
Номер патенту: 84887
Опубліковано: 10.12.2008
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
Мітки: мікроелектронний, частотним, тиску, вимірювач, виходом
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач тиску з частотним виходом, що містить джерело постійної напруги, польовий транзистор, резистор і ємність, який відрізняється тим, що в нього додатково введені тензорезистивний міст на напівпровідниковій мембрані з чотирьох тензорезисторів, два біполярні транзистори, друга ємність і шість резисторів, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з першим виводом другого тензорезистора, другий вивід другого...
Мікроелектронний оптичний сенсор температури з частотним виходом
Номер патенту: 33240
Опубліковано: 10.06.2008
Автори: Деундяк Володимир Петрович, Деундяк Марина Володимирівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01K 11/00
Мітки: мікроелектронний, оптичний, сенсор, частотним, виходом, температури
Формула / Реферат:
Мікроелектронний оптичний сенсор температури з частотним виходом, який містить джерело світла, фотоприймач, з'єднані світловодом, що має серцевину, оточену оболонкою, і термочутливий елемент, який відрізняється тим, що в нього введено перетворювач оптичного сигналу в частотний, який містить двозатворний уніполярний метал-діелектрик-напівпровідник транзистор, біполярний транзистор, дві ємності, індуктивність, три резистори і джерело постійної...
Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання
Номер патенту: 31974
Опубліковано: 25.04.2008
Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01J 1/44
Мітки: вимірювач, мікроелектронний, оптичного, випромінювання
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання, що містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної...
Мікроелектронний сенсор температури
Номер патенту: 31510
Опубліковано: 10.04.2008
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна
МПК: G01K 7/00
Мітки: сенсор, температури, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор температури, який містить польовий транзистор, резистор, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а другий вивід другого конденсатора - з другим полюсом другого джерела напруги, який відрізняється тим, що введено перший біполярний транзистор, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, другий біполярний транзистор і другий...
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання
Номер патенту: 31603
Опубліковано: 10.04.2008
Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна
МПК: G01J 1/44
Мітки: пристрій, оптичного, мікроелектронний, виміру, випромінювання
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до затвору МДН-транзистора і першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого...
Мікроелектронний сенсор теплової потужності
Номер патенту: 31114
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович
МПК: G01J 5/58
Мітки: сенсор, теплової, потужності, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор теплової потужності, який містить польовий транзистор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, перше джерело постійної напруги, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, котушку індуктивності, конденсатор і друге джерело постійної напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги, а другий полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний...
Мікроелектронний витратомір газу
Номер патенту: 29964
Опубліковано: 11.02.2008
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ющенко Юрій Андрійович, Осадчук Олександр Володимирович, Ярославцев Олександр Олексійович
МПК: G01F 1/34
Мітки: витратомір, мікроелектронний, газу
Формула / Реферат:
Мікроелектронний витратомір газу, що складається з вимірювальної камери, джерела постійної напруги, двох резисторів, який відрізняється тим, що в нього введені перший термочутливий біполярний транзистор, другий біполярний транзистор, третій резистор, ємність, пасивна індуктивність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з’єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого...
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності
Номер патенту: 30180
Опубліковано: 11.02.2008
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01J 1/44
Мітки: виміру, мікроелектронний, оптично, потужності, пристрій
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності, який містить джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, конденсатор, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, причому перший та другий МДН-фототранзистори виконано з непрозорим затворним електродом із алюмінію, із зворотної сторони підкладки яких під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне...
Мікроелектронний вимірювач оптичної потужності
Номер патенту: 30177
Опубліковано: 11.02.2008
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01J 1/44
Мітки: вимірювач, потужності, оптично, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, індуктивний елемент, конденсатор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, а як індуктивний елемент використано МДН-фототранзистор з непрозорим затворним електродом із алюмінію, у якому зі зворотної сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з...
Герметичний мікроелектронний блок
Номер патенту: 29528
Опубліковано: 10.01.2008
Автори: Батуркін Володимир Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Галяутдінов Дмитро Мидхатович, Владіміров Іван Тимофійович, Савіна Віра Миколаївна
МПК: H05K 7/20, F28D 15/00
Мітки: герметичний, блок, мікроелектронний
Формула / Реферат:
1. Герметичний мікроелектронний блок, що містить виконаний з теплопровідного матеріалу герметичний корпус з основою та бічними стінками, всередині якого встановлено щонайменше один мікроелектронний модуль з потужним мікроелектронним елементом та теплову трубу з двома відігнутими кінцями та прямою ділянкою між ними, причому відігнуті кінці встановлені із забезпеченням теплового контакту на внутрішніх поверхнях першої та другої, протилежної до...
Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції з частотним виходом
Номер патенту: 80906
Опубліковано: 12.11.2007
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01L 43/06, G01R 33/06
Мітки: виходом, магнітної, вимірювач, частотним, індукції, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції з частотним виходом, який містить елемент Холла і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено чотири біполярні транзистори, чотири резистори і дві ємності, причому колектор першого біполярного транзистора з'єднаний з базою другого біполярного транзистора і першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до першого виводу четвертого...
Мікроелектронний пристрій для виміру витрати газу
Номер патенту: 26479
Опубліковано: 25.09.2007
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ярославцев Олександр Олексійович, Осадчук Олександр Володимирович, Ющенко Юрій Андрійович
МПК: G01F 1/34
Мітки: виміру, витрати, пристрій, газу, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру витрати газу, що містить вимірювальну камеру, джерело постійної напруги, два резистори, який відрізняється тим, що додатково містить перший і другий термочутливі біполярні транзистори, третій резистор, першу, другу і третю ємності, пасивну індуктивність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід...
Мікроелектронний вимірювач витрати газу
Номер патенту: 24005
Опубліковано: 11.06.2007
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ющенко Юрій Андрійович
МПК: G01F 1/34
Мітки: газу, мікроелектронний, витрати, вимірювач
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач витрати газу, який містить вимірювальну камеру терморезистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено перший і другий польові транзистори, ємність, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, причому затвор першого польового транзистора через терморезистор з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги, а другий полюс першого джерела постійної напруги...
Мікроелектронний сенсор для виміру магнітної індукції
Номер патенту: 77810
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: H01L 29/82
Мітки: сенсор, магнітної, мікроелектронний, виміру, індукції
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор для виміру магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені двозатворний польовий транзистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першою...
Мікроелектронний пристрій для виміру тиску
Номер патенту: 17154
Опубліковано: 15.09.2006
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Кривошея Андрій Олександрович
МПК: G01L 9/04
Мітки: тиску, мікроелектронний, пристрій, виміру
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру тиску, що містить джерело постійної напруги і тензочутливий міст із чотирьох однотипних тензорезисторів, який відрізняється тим, що додатково введені біполярний та польовий транзистори, пасивна індуктивність, ємність і чотири резистори, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з першими виводами першого і другого резисторів, пасивної індуктивності, ємності, першою клемою джерела постійної...
Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску
Номер патенту: 16801
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Кривошея Андрій Олександрович
МПК: G01L 9/04
Мітки: пристрій, тиску, вимірювання, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги і тензочутливий міст із чотирьох однотипних тензорезисторів, який відрізняється тим, що додатково введені два біполярних транзистори, пасивна індуктивність, ємність і п'ять резисторів, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з першими виводами першого резистора, пасивної індуктивності, ємності, першою клемою джерела постійної напруги і першим...
Мікроелектронний генератор електричних коливань
Номер патенту: 9202
Опубліковано: 15.09.2005
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Семенов Андрій Олександрович
МПК: H03B 7/00
Мітки: коливань, генератор, електричних, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний генератор електричних коливань, який містить двозатворний польовий транзистор, резистор, ємність і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний транзистор, другий, третій і четвертий резистори, другу, третю і четверту ємності, причому перший вивід першого резистора з'єднаний з колектором біполярного транзистора, першим затвором двозатворного польового транзистора і першим виводом четвертого...
Мікроелектронний сенсор магнітної індукції
Номер патенту: 7408
Опубліковано: 15.06.2005
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Мартинюк Володимир Валерійович
МПК: H01L 29/82
Мітки: магнітної, мікроелектронний, індукції, сенсор
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор магнітної індукції, що містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, три резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені другий біполярний транзистор, два резистори, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим...
Мікроелектронний дозиметр швидких нейтронів
Номер патенту: 62884
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Кадук Борис Григорович
МПК: G01T 3/00
Мітки: швидких, нейтронів, мікроелектронний, дозиметр
Формула / Реферат:
Мікроелектронний дозиметр швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів напівпровідниковий діод і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено чутливий до радіації нейтронів біполярний транзистор, польовий транзистор, резистор, ємність, індуктивність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора...
Мікроелектронний детектор швидких нейтронів
Номер патенту: 62883
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01T 3/00
Мітки: детектор, нейтронів, швидких, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний детектор швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор, джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені чутливий до радіації нейтронів другий польовий транзистор, резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до затвора...
Мікроелектронний пристрій для виміру дози швидких нейтронів
Номер патенту: 62882
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01T 3/00
Мітки: пристрій, виміру, швидких, дози, мікроелектронний, нейтронів
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру дози швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів напівпровідниковий діод і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний транзистор, польовий транзистор, резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора з'єднаний з базою...
Мікроелектронний вимірювач вологості
Номер патенту: 62016
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна
МПК: G01N 27/00
Мітки: вологості, мікроелектронний, вимірювач
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач вологості, який містить два біполярних вологочутливих транзистори, який відрізняється тим, що додатково введені три резистори, індуктивність, ємність і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до бази першого вологочутливого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з емітером...