Патенти з міткою «n-p-n»
Спосіб виготовлення високочастотних біполярних n-p-n транзисторів
Номер патенту: 33442
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Фролов Олександр Миколайович, Курак Владислав Володимирович
МПК: H01L 21/34
Мітки: виготовлення, n-p-n, високочастотних, спосіб, біполярних, транзисторів
Текст:
...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...