Курак Владислав Володимирович
Вітроколесо вітрогенератора
Номер патенту: 17283
Опубліковано: 15.09.2006
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Коленчук Дмитро Миколайович, Курак Владислав Володимирович, Андронова Олена Валеріївна
МПК: F03D 11/00
Мітки: вітрогенератора, вітроколесо
Формула / Реферат:
Вітроколесо вітрогенератора, що складене з головного вала, жорстко приєднаних до нього чотирьох однакового перерізу обертових трубчастих валів з лопатями, поділених на секції і оснащених ребрами жорсткості, циліндричних кілець зі спіральними пружинами і елементами кріплення до них, яке відрізняється тим, що обертові трубчасті вали жорстко приєднані основами до головного вала з можливістю вільного прогинання верхівок, секції лопатей виконані...
Установка для рідкофазної епітаксії
Номер патенту: 14302
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Курак Владислав Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович, Андронова Олена Валеріївна
МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 21/208 ...
Мітки: рідкофазної, епітаксії, установка
Формула / Реферат:
Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, вікно у вигляді отвору над підкладкою, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок для підведення підкладки в комірки, і термопару, яка відрізняється тим, що комірки знаходяться у слайдері, а підкладка розміщена у нерухомій основі касети, в якій під підкладкою розташований теплообмінник, що...
Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази
Номер патенту: 9615
Опубліковано: 17.10.2005
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Курак Владислав Володимирович, Баганов Євген Олександрович, Андронова Олена Валеріївна
МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 021/208 ...
Мітки: спосіб, шарів, рідкої, гетероепітаксійних, гомо, фазі, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксійних шарів, приведення розчину-розплаву в контакт з робочою поверхнею підкладки, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більш ніж...
Установка для рідкофазної епітаксії
Номер патенту: 62234
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Калашников Андрій Веніамінович, Цибуленко Вадим Володимирович, Курак Владислав Володимирович, Журба Олександр Михайлович
МПК: H01L 21/208
Мітки: установка, епітаксії, рідкофазної
Формула / Реферат:
Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок, для підведення підкладки в комірки, а також контейнери для гомогенізації і термопару, яка відрізняється тим, що касета виконана у вигляді розбірної конструкції, яка складається з основи, у пазу якої встановлений із можливістю переміщення слайдер...
Спосіб виготовлення високочастотних біполярних n-p-n транзисторів
Номер патенту: 33442
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович, Фролов Олександр Миколайович
МПК: H01L 21/34
Мітки: n-p-n, спосіб, біполярних, високочастотних, транзисторів, виготовлення
Текст:
...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...