H01L 21/34 — виготовлення приладів на напівпровідникових підкладках з домішками або без них, наприклад з домішками легуючих матеріалів, крім приладів, передбачених у

Номер патенту: 57108

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Аппазов Едуард Сейярович, Шутов Станіслав Вікторович, Смикало Максим Миколайович

МПК: H01L 21/34, C04B 35/00, H01L 21/331 ...

Мітки: композитної, кераміки, спосіб, системі, термофотовольтаїчної, емітера, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення композитної кераміки для емітера термофотовольтаїчної системи, що включає приготування суміші порошку матричного металу, що містить алюміній, з керамічним зміцнювачем, що складається з карбіду кремнію, механічне легування з отриманням композиційних гранул і подальшою дегазацією у вакуумі при термічній обробці та брикетування отриманої суміші, який відрізняється тим, що в процесі приготування суміші порошкового алюмінію і...

Номер патенту: 23781

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Бронников Анатолій Никифорович, Скірдіна Інна Костянтинівна, Клімов Всеволод Валентинович, Штонда Олексій Сергійович, Селікова Нелля Іванівна

МПК: H01L 21/34

Мітки: товсті, цирконату-титанату, плівки, сегнетоелектричні, свинцю, основі

Формула / Реферат:

Товсті сегнетоелектричні плівки на основі цирконату-титанату свинцю, що містять оксид вісмуту, оксид марганцю, оксид цинку, оксид лантану, цирконат-титанат свинцю з заміщенням 0,5% ат. свинцю стронцієм, які відрізняються тим, що плівки містять наповнювач, за який використовують дрібнодисперсну синтезовану шихту п'єзокерамічного матеріалу ЦТССТ-3 (цирконат-титанат свинцю стронцію) при наступному співвідношенні компонентів у мол.%: ...

Номер патенту: 33442

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Марончук Ігор Євгенович, Курак Владислав Володимирович

МПК: H01L 21/34

Мітки: n-p-n, транзисторів, спосіб, високочастотних, виготовлення, біполярних

Текст:

...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...

Номер патенту: 1295

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Родіонов Валерій Євгенович, Буковський Вячеслав Євгенович, Рахлін Михайло Якович, Атдаєв Байрамгилич Сапаргилиджович

МПК: H01L 21/34

Мітки: одержання, шару, кадмія, сульфіда, фоточутливого, легованого, спосіб, основі, міддю

Формула / Реферат:

Способ получения фоточувствительных слоев на основе сульфида кадмия, легированного медью, включающий испарение смеси диэтилдитиокарбаматов кадмия и меди, взятых в соотношении 200:1, и последующую термическую деструкцию их паров на нагретой подложке, отличающийся тем. что в испаряемую смесь дополнительно вводят диэтилдитиокарбамат индия при соотношении масс диэтилдитиокарбаматов кадмия, меди и индия 200:(0,5-1,5):(0,5-1,5). полученную смесь...