Патенти з міткою «біполярних»

Номер патенту: 114278

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Ааненсен Ове Т., Валанд Даґ Арільд

МПК: H02J 7/00

Мітки: підвищеної, батарей, напруги, біполярних, спосіб, імпульсів, генератор

Формула / Реферат:

1. Генератор біполярних імпульсів підвищеної напруги для батарей, який містить у собі:генератор імпульсів (20), сконфігурований для генерації позитивної імпульсної напруги та негативної імпульсної напруги;перетворювач позитивної імпульсної напруги (32), сконфігурований для перетворення позитивної імпульсної напруги в позитивне імпульсне коливання напруги (34);перетворювач негативної імпульсної напруги (36),...

Номер патенту: 93081

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Ескола Яркко Уолеві, Кулмала Сакарі, Корпєла Тімо Калєві, Лааксонен Теппо Тапані

МПК: G01N 21/76, G01N 21/66

Мітки: пристрій, катодних, допомогою, імпульсів, люмінесценції, чипів, інтегрованих, електродних, біполярних, збудження

Формула / Реферат:

1. Пристрій для досліджень з використанням електрохемілюмінесценції, виконаний у вигляді електродного чипа, який містить як електроди щонайменше один анод і один катод, що розміщені на загальній основі в картриджі, який відрізняється тим, що обидва, анод і катод, виконані з провідного матеріалу та (або) високодомішкового напівпровідника, при цьому катод покритий фінішним ізолюючим шаром, анод покритий фінішним провідним або ізолюючим...

Номер патенту: 83681

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: ДЕ БОДІНАТ Крістіан, Мокер Елізабет

МПК: C07C 233/00

Мітки: ліків, одержанні, призначених, агомелатину, застосування, лікування, біполярних, розладів

Формула / Реферат:

1. Застосування агомелатину, або N-[2-(7-метокси-1-нафтил)етил]ацетаміду, а також його гідратів, кристалічних форм і адитивних солей з фармацевтично прийнятною кислотою або основою в одержанні ліків, призначених для лікування біполярних розладів.2. Застосування агомелатину, або N-[2-(7-метокси-1-нафтил)етил]ацетаміду, а також його гідратів, кристалічних форм і адитивних солей з фармацевтично прийнятною кислотою або основою в одержанні...

Номер патенту: 74337

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Седман Евен, Ван Амстердам Крістоф, СЕЙФРІД Крістоф, Бьоттчер Хеннінг, Бартошік Герд

МПК: A61K 31/495, A61P 25/22

Мітки: біполярних, 1-[4-(5-ціаноіндол-3-іл)бутил]-4-(2-карбамоїлбензофуран-5-іл)-піперазину, застосування, розладів, манії, лікування

Формула / Реферат:

Застосування 1-[4-(5-ціаноіндол-3-іл)бутил]-4-(2-карбамоїлбензофуран-5-іл)-піперазину або його фізіологічно прийнятної солі у виробництві медичного препарату для лікування біполярних розладів.       2. Застосування за п.1, де фармакологічно прийнятною сіллю є гідрохлорид 1-[4-(5-ціаноіндол-3-іл)бутил]-4-(2-  карбамоїлбензофуран-5-іл)-піперазину.3. Застосування...

Номер патенту: 53671

Опубліковано: 17.02.2003

Автор: Феррейра Ян Абрахам

Мітки: біполярних, спосіб, генерування, періодичних, струму, котушки, варіанти, біполярними, імпульсами, імпульсів, періодичними, генератор, послідовності, збудження

Формула / Реферат:

1. Генератор імпульсів для збудження котушки періодичними біполярними імпульсами, котрі мають, у загальному випадку, прямокутну форму, який містить у собі схему резонансного перетворювача постійного струму у змінний, яка містить у собі вхід постійного струму, який являє собою джерело першої напруги та вихід, під'єднаний до котушки, керуючу схему, виконану з можливістю керування перемиканням вищевказаного резонансного перетворювача постійного...

Номер патенту: 33442

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: H01L 21/34

Мітки: біполярних, виготовлення, транзисторів, n-p-n, високочастотних, спосіб

Текст:

...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...

Номер патенту: 32322

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Білець Анатолій Іванович, Лосовський Володимир Олександрович

МПК: G01R 31/00, G01R 31/12

Мітки: стану, контролю, біполярних, прогнозування, транзисторів, спосіб, технічного

Текст:

...стану біполярних транзисторів за щільністю низькочастотного флікерного шуму відповідно з винаходом вимірюють ширину бістабільної зони, для чого утворюють послідовний нелінійний контур, з'єднують індуктив ність з колекторним переходом випробуваного транзистора, потім збуджують контур генератором гармонічних коливань з амплітудою та частотою, на якій виникає бістабільна зона і за змінами смуги частоти бістабільної зони визначають залишок...

Номер патенту: 11382

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Малайдах Володимир Якович, Матюшин Євген Васильович, Скріпов Федір Олександрович

МПК: H01L 21/70

Мітки: структур, інтегральних, схем, спосіб, біполярних, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур биполярных интегральных схем, включающий окисление под­ложки из р-кремния, формирование маски из ок­сида кремния с окнами для скрытых областей, формирование в подложке скрытых n+-областей, осаждение эпитаксиального n-слоя кремния, фор­мирование маски из оксида кремния с окнами для разделительных областей, формирование раздели­тельных областей, формирование маски из оксида кремния с окнами для базовой диффузии,...

Номер патенту: 3900

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Маскович Степан Михайлович, Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович, Прокіпчин Василь Васильович, Гуменяк Михайло Васильович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, інтегральних, біполярних, схем, високострумових, металізації, формування

Формула / Реферат:

1. Способ формирования металлизации для сильнотоковых биполярных интегральных схем, включающий двухстадийное магнетронное распыление мишени в плазме аргона и смеси аргона и (1-10% вес) моносилана, фотолитографию для создания разводки и контактов, отличающийся тем, что распыление составной мишени, содержащей в массиве основного металла штыри из тугоплавкого или редкоземельного металла, для нанесения нижнего слоя проводят в плазме аргона, а...