Фролов Олександр Миколайович
Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю
Номер патенту: 120347
Опубліковано: 25.10.2017
Автори: Шевченко Віктор Васильович, Філіпщук Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Фролов Олександр Миколайович, Самойлов Микола Олександрович, Глухова Валентина Іванівна
МПК: H01L 21/00, H01L 21/761
Мітки: діодів, спосіб, змінною, виготовлення, ємністю
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури шляхом анодного окислювання кремнію в киплячому розчині борної кислоти в режимах отримання пористого окислу кремнію, термічне окислювання, селективне видалення...
Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю
Номер патенту: 102197
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Фролов Олександр Миколайович, Філіпщук Олександр Миколайович, Боскін Олег Осипович, Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Шевченко Віктор Васильович
МПК: H01L 29/93, H01L 21/329, H01L 21/31 ...
Мітки: діодів, ємністю, змінною, спосіб, виготовлення, високовольтних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури за допомогою травлення кремнію, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за...
Спосіб виготовлення діодів шотткі з охоронним кільцем
Номер патенту: 79669
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Фролов Олександр Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Самойлов Микола Олександрович
МПК: H01L 21/04, H01L 21/31, H01L 21/329 ...
Мітки: кільцем, діодів, виготовлення, спосіб, шотткі, охоронним
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...
Спосіб виготовлення кремнієвих діодів шотткі з охоронним кільцем
Номер патенту: 60700
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: Фролов Олександр Миколайович, Сєліверстов Ігор Анатолійович, Сєліверстова Світлана Ростиславівна
МПК: H01L 21/329, H01L 21/04, H01L 21/31 ...
Мітки: спосіб, виготовлення, шотткі, охоронним, діодів, кремнієвих, кільцем
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...
Спосіб нанесення антиадгезійного покриття на хлібопекарські форми
Номер патенту: 93173
Опубліковано: 10.01.2011
Автори: Бондаренко Дмитро Олександрович, Кривенко Олег Павлович, Китаєв Євген Анатолійович, Фролов Олександр Миколайович, Кашуба Роман Олександрович
МПК: A21D 8/00, A21B 3/00, C08K 7/00 ...
Мітки: спосіб, нанесення, покриття, форми, хлібопекарські, антиадгезійного
Формула / Реферат:
Спосіб нанесення антиадгезійного покриття на хлібопекарські форми, що включає механічну обробку металевих хлібопекарських форм, обдування форм сухим повітрям, нанесення на форми полімерного антиадгезійного покриття, термічну обробку форм з нанесеним полімерним антиадгезійним покриттям, який відрізняється тим, що механічну обробку форм ведуть методом піскоструминної обробки за допомогою абразивоструминної установки з діаметром внутрішнього...
Спосіб виготовлення високочастотних біполярних n-p-n транзисторів
Номер патенту: 33442
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Фролов Олександр Миколайович, Марончук Ігор Євгенович, Курак Владислав Володимирович
МПК: H01L 21/34
Мітки: n-p-n, виготовлення, спосіб, високочастотних, біполярних, транзисторів
Текст:
...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...