Патенти з міткою «nalgaаs-palgaas-p+algaas»
Спосіб отримання гетероструктури nalgaаs-palgaas-p+algaas з варізонною активною областю
Номер патенту: 43132
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович, Сиворотка Наталія Ярославівна
МПК: H01L 27/14
Мітки: nalgaаs-palgaas-p+algaas, областю, отримання, спосіб, активною, варізонною, гетероструктурі
Формула / Реферат:
Спосіб отримання гетероструктури nAlGaAs-pAlGaAs-p+AlGaAs з варізонною активною областю за двостадійною технологією рідиннофазної епітаксії в температурному інтервалі 850-700 °С, що передбачає на першій стадії на підкладці nGaAs формування буферного шару nAlxGa1-xAs, а на другій стадії утворення р-n-переходу в цьому шарі, який відрізняється тим, що формування буферного варізонного епітаксійного шару nAlxGa1-xAs із зростанням ширини...