Сиворотка Наталія Ярославівна
Спосіб виготовлення епітаксійних шарів inp методом газотранспортних реакцій
Номер патенту: 73666
Опубліковано: 10.10.2012
Автори: Круковський Ростислав Семенович, Ваків Микола Михайлович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Круковський Семен Іванович
МПК: H01L 27/14
Мітки: газотранспортних, шарів, виготовлення, методом, спосіб, реакцій, епітаксійних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення епітаксійних шарів InP методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - індію, а як джерела елемента п'ятої групи - трихлорид фосфору з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (750-820 °С) до фосфору та утворення тут хлориду індію, які транспортують у низькотемпературну зону (690-710 °С), кристалізують на підкладці у вигляді InP, який відрізняється тим, що...
Перетворювач сонячної енергії
Номер патенту: 55340
Опубліковано: 10.12.2010
Автори: Тимчишин Вікторія Романівна, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Круковський Семен Іванович, Круковський Ростислав Семенович, Ваків Микола Михайлович
МПК: H01L 31/04, F24J 2/42
Мітки: енергії, перетворювач, сонячної
Формула / Реферат:
1. Перетворювач сонячної енергії, що містить герметичний корпус з теплоізоляцією, оснащений прозорим покриттям, під яким розташовані фотоелектричні перетворювачі, встановлені з забезпеченням теплового контакту на випарних зонах теплових труб, конденсаційні зони яких мають тепловий контакт з теплоносієм, який відрізняється тим, що фотоелектричні перетворювачі виконано у вигляді епітаксійних тандемних гетероструктур на основі сполук А3В5, а...
Спосіб отримання гетероструктури nalgaаs-palgaas-p+algaas з варізонною активною областю
Номер патенту: 43132
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Сиворотка Наталія Ярославівна, Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович
МПК: H01L 27/14
Мітки: спосіб, nalgaаs-palgaas-p+algaas, варізонною, областю, гетероструктурі, активною, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання гетероструктури nAlGaAs-pAlGaAs-p+AlGaAs з варізонною активною областю за двостадійною технологією рідиннофазної епітаксії в температурному інтервалі 850-700 °С, що передбачає на першій стадії на підкладці nGaAs формування буферного шару nAlxGa1-xAs, а на другій стадії утворення р-n-переходу в цьому шарі, який відрізняється тим, що формування буферного варізонного епітаксійного шару nAlxGa1-xAs із зростанням ширини...