Патенти з міткою «варізонною»
Спосіб отримання гетероструктури nalgaаs-palgaas-p+algaas з варізонною активною областю
Номер патенту: 43132
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Сиворотка Наталія Ярославівна, Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович
МПК: H01L 27/14
Мітки: варізонною, гетероструктурі, областю, активною, спосіб, nalgaаs-palgaas-p+algaas, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання гетероструктури nAlGaAs-pAlGaAs-p+AlGaAs з варізонною активною областю за двостадійною технологією рідиннофазної епітаксії в температурному інтервалі 850-700 °С, що передбачає на першій стадії на підкладці nGaAs формування буферного шару nAlxGa1-xAs, а на другій стадії утворення р-n-переходу в цьому шарі, який відрізняється тим, що формування буферного варізонного епітаксійного шару nAlxGa1-xAs із зростанням ширини...