Патенти з міткою «низькоомних»
Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних к-мон-структурах великих інтегральних схем
Номер патенту: 72058
Опубліковано: 10.08.2012
Автори: Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович, Атаманюк Роман Богданович
МПК: H01L 21/00
Мітки: великих, к-мон-структурах, схем, низькоомних, субмікронних, формування, інтегральних, контактів, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...