Патенти з міткою «субмікронних»

Номер патенту: 113891

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович, Бойко Сергій Іванович

МПК: H01L 21/76

Мітки: великих, елементів, прооксидованим, схем, кремнієм, субмікронних, інтегральних, пористим, ізоляції, локальної, структурах, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...

Номер патенту: 91420

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Гавриш Михайло Володимирович, Чайка Тетяна Валеріївна, Баранов Георгій Анатолійович, Дербасова Надія Михайлівна, Гавриш Володимир Михайлович

МПК: C22B 34/30, C22B 3/00

Мітки: субмікронних, карбідів, виробів, твердих, порошків, мікронних, металів, відходів, сплавів, нанорозмірних, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання нанорозмірних, мікронних і субмікронних порошків металів та карбідів металів з виробів і відходів твердих сплавів, що включає обробку сировини з твердосплавних виробів з матеріалів ВК (WC, Co), ВНМ (W, Ni, Mo), ВНЗ (W, Ni, Fe), ТК (WC, TiC, Co), ТТК (WC, TiC, TaC, Co) і т.д. у дезінтеграторі диспергуючою рідиною, який відрізняється тим, що сировину завантажують у дезінтегратор у ваговому співвідношенні рідкої фази і твердої...

Номер патенту: 86584

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Заспа Юрій Петрович, Шалапко Юрій Іванович

МПК: F16F 7/00, F16F 11/00

Мітки: субмікронних, робочого, фрикційних, розширення, спосіб, діапазону, демпферів

Формула / Реферат:

Спосіб розширення робочого діапазону субмікронних фрикційних демпферів, який використовує опромінення контактних поверхонь демпфера імпульсами неодимового лазера тривалістю 1-100 наносекунд з поверхневою густиною потужності опромінення в межах 1010-1013 Вт/м2, який відрізняється тим, що між платформою і корпусом демпфера додатково встановлюється демпфуючі контакти, оброблені чистовими механічними методами (шліфування, полірування,...

Номер патенту: 77223

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Кіндрат Тарас Петрович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович

МПК: H01L 21/00

Мітки: гетероепітаксійних, інтегральних, формування, великих, нвч, схем, структур, субмікронних, арсенідгалієвих, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...

Номер патенту: 72058

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: контактів, великих, к-мон-структурах, схем, низькоомних, формування, субмікронних, інтегральних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...

Номер патенту: 68204

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Атаманюк Роман Богданович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: великих, металізації, формування, спосіб, схем, багатошарової, субмікронних, інтегральних, структур, теплостійкої

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації верхнього рівня розводки структур великих інтегральних схем, який включає в себе формування структур з контактними профільованими вікнами в міжшаровій металізації за допомогою фотолітографічного процесу і плазмохімічного травлення, якісної хімічної обробки структур в перекисно-аміачній суміші, магнетронного розпилення мішені силіциду чи поліциду, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 64898

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Вівчарук Володимир Михайлович, Сорохтей Тарас Романович, Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Атаманюк Роман Богданович

МПК: H01L 21/00

Мітки: субмікронних, схем, металевої, розводки, структур, планаризації, інтегральних, вісь, великих, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...

Номер патенту: 35947

Опубліковано: 10.10.2008

Автор: Заспа Юрій Петрович

МПК: F16F 7/00, F16F 11/00

Мітки: контактної, дії, ефективності, демпферів, фрикційних, підвищення, спосіб, субмікронних

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ефективності субмікронних фрикційних демпферів контактної дії, який передбачає використання механічних контактів як елементів жорсткості, який відрізняється тим, що контактні поверхні демпферів опромінюються імпульсами неодимового лазера тривалістю 1-100 наносекунд з поверхневою густиною потужності опромінення в межах 1010-1013 Вт/м2, при цьому на контактних поверхнях утворюється мікрорельєф із підвищеною нерівномірністю...

Номер патенту: 34271

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H05K 3/00

Мітки: виготовлення, розмірів, двоелектродних, субмікронних, автоемісійних, кремнієвих, катодів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів, який включає формування вістер катодів шляхом термічного окислення поверхні кремнію, фотолітографії, ізотропного сухого травлення, загострення вістер окисленням та мокрим травленням, селективного покриття катодів захисною плівкою, який відрізняється тим, що по одній технології отримують одношпильові, багатошпильові або лезоподібні катоди з...

Номер патенту: 72189

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Басстані Естер Діна Гвідо, Франсуа Марк Карел Жозеф, Дріє Віллі Марія Альбер Карло

МПК: A61P 25/00, A61K 31/517, A61K 9/08 ...

Мітки: ефірів, субмікронних, фармацевтична, кислот, містить, 9-гідроксирисперидон, композиція, водну, жирних, суспензію

Формула / Реферат:

1. Фармацевтична композиція, придатна як депо-препарат для введення шляхом внутрішньом'язової або підшкірної ін'єкції, котра включає дисперсію частинок, що складаються, по суті, із терапевтично ефективної кількості кристалічного ефіру 9-гідроксирисперидон жирних кислот, що має формулуабо солі, або стереоізомеру чи суміші стереоізомерів даної сполуки, де R...