Атаманюк Роман Богданович

Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних к-мон-структурах великих інтегральних схем

Завантаження...

Номер патенту: 72058

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Вівчарук Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович, Атаманюк Роман Богданович

МПК: H01L 21/00

Мітки: к-мон-структурах, субмікронних, спосіб, великих, низькоомних, контактів, інтегральних, формування, схем

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...

Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації субмікронних структур великих інтегральних схем

Завантаження...

Номер патенту: 68204

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: субмікронних, формування, металізації, багатошарової, інтегральних, спосіб, структур, теплостійкої, схем, великих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації верхнього рівня розводки структур великих інтегральних схем, який включає в себе формування структур з контактними профільованими вікнами в міжшаровій металізації за допомогою фотолітографічного процесу і плазмохімічного травлення, якісної хімічної обробки структур в перекисно-аміачній суміші, магнетронного розпилення мішені силіциду чи поліциду, який відрізняється тим, що...

Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем (віс)

Завантаження...

Номер патенту: 64898

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Атаманюк Роман Богданович, Сорохтей Тарас Романович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович, Кіндрат Тарас Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: планаризації, інтегральних, розводки, схем, металевої, структур, спосіб, великих, вісь, субмікронних

Формула / Реферат:

1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...