Вівчарук Володимир Михайлович

Номер патенту: 72058

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Вівчарук Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович, Атаманюк Роман Богданович

МПК: H01L 21/00

Мітки: контактів, субмікронних, спосіб, інтегральних, схем, формування, низькоомних, великих, к-мон-структурах

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...

Номер патенту: 68204

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: субмікронних, великих, формування, схем, багатошарової, спосіб, теплостійкої, інтегральних, структур, металізації

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації верхнього рівня розводки структур великих інтегральних схем, який включає в себе формування структур з контактними профільованими вікнами в міжшаровій металізації за допомогою фотолітографічного процесу і плазмохімічного травлення, якісної хімічної обробки структур в перекисно-аміачній суміші, магнетронного розпилення мішені силіциду чи поліциду, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: кремнієвих, підкладках, спосіб, арсенід-галієвих, шарів, епітаксійних, формування, монокристалічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Номер патенту: 64898

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Сорохтей Тарас Романович, Атаманюк Роман Богданович, Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: планаризації, розводки, субмікронних, великих, структур, металевої, інтегральних, схем, спосіб, вісь

Формула / Реферат:

1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...

Номер патенту: 51487

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01M 8/00

Мітки: високоефективних, елементів, сонячних, монокремнії, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування високоефективних структур сонячних елементів на монокремнії, який включає в себе процеси хімічної обробки кремнієвих структур, оксидування, літографії, металізації контактів, який відрізняється тим, що формування структур сонячних елементів проводять на кремнієвих низькотемпературних епітаксійних структурах типу р-p+ на основі контактів метал-напівпровідник з проміжним тунельним оксидним шаром, товщиною 2-3 нм і...