Патенти з міткою «низькосиметричних»
Процес створення об’ємних мікро-та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи аiiвv
Номер патенту: 50923
Опубліковано: 25.06.2010
Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович
МПК: C30B 29/30, C30B 11/00
Мітки: групи, сполук, наноструктур, мікро-та, створення, низькосиметричних, кристалів, об'ємних, процес, аiiвv, напівпровідникових, основі
Формула / Реферат:
1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...