Маник Орест Миколайович

Номер патенту: 90768

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Маник Орест Миколайович, Анатичук Лук'ян Іванович, Кобилянський Роман Романович

МПК: H01L 35/00

Мітки: електронний, живлення, джерелом, термометр, термоелектричним, медичний

Формула / Реферат:

Електронний медичний термометр з термоелектричним джерелом живлення, що містить датчик температури, регістратор температури та термоелектричне джерело живлення в складі тепловідвідного радіатора, термобатареї і стабілізатора напруги, який відрізняється тим, що містить пристрій для охолодження спаїв термобатареї шляхом випаровування рідини.

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Савчук Андрій Йосипович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 9/00, C30B 31/20, C30B 29/26 ...

Мітки: fese, процес, отримання, розчинів, fesexte1-x, твердих, монокристалічних, злитків

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Номер патенту: 67457

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: процес, отримання, сурми

Формула / Реферат:

1. Процес отримання сурми гексагональної або ромбоедричної модифікацій, що складається з етапів загрузки наважки та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку сурми заданої модифікації.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку сурми гексагональної...

Номер патенту: 62629

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Гуцул Іван Васильович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: монокристалів, отримання, цинку, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів цинку, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої направленої перекристалізації при Т1 = 692,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів цинку за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Номер патенту: 62628

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: отримання, монокристалів, селену, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів селену, що складається з етапів загрузки наважки, подальшої направленої перекристалізації при температурі Т1 = 490 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів селену за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Номер патенту: 62627

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, кадмію, отримання, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів кадмію, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при , який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів кадмію за пунктом 1, який відрізняється тим, що його...

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: процес, матеріалів, характеристик, напівпровідникових, корекції

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Номер патенту: 60529

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: процес, телуру, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалу телуру, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при Т1=722,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості .2. Процес отримання монокристалу телуру за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають температурним відпалом...

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/46, C30B 31/20, C30B 9/00 ...

Мітки: процес, fesexte1-x, злитків, отримання, розчинів, fese, твердих, полікристалічних

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Номер патенту: 56653

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: основі, матеріалу, оптичного, отримання, процес

Формула / Реферат:

Процес отримання оптичного матеріалу на основі ZnSb, який включає етапи завантаження наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву зони підтримують на рівні Т1=820±0,5 К, а відпал закристалізованого злитка проводять при температурі Т2=810±0,5 К протягом двох годин.

Номер патенту: 54108

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Величук Денис Дмитрович, Маник Орест Миколайович, Романюк Ігор Степанович

МПК: H01L 35/02

Мітки: охолоджувач, гіротропний

Формула / Реферат:

Гіротропний охолоджувач, що складається з термостата та елемента Нернста-Еттінсгаузена з центральним каналом, який відрізняється тим, що останній розташований аксіально у кільцевому електромагніті з феродіелектричного корпусу та обмоток постійного і змінного струмів, при цьому поверхня бічної грані елемента Нернста-Еттінсгаузена змінюється по заданому гіперболічному закону із звуженням його нижньої частини, що електроізольована від обмоток...

Номер патенту: 53264

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Величук Денис Дмитрович, Романюк Ігор Степанович, Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/02

Мітки: гіротропний, охолоджувач

Формула / Реферат:

1. Гіротропний охолоджувач, з термостата та елемента Нернста-Еттінсгаузена, який відрізняється тим, що останній розташований аксіально у кільцевому електромагніті з обмотками постійного і змінного струмів та виконаний з двох однакових співвісних кілець з зовнішнім r і внутрішнім r1 радіусами та висотами d1=d2 з матеріалів р- та n-типів провідності відповідно, внутрішні торцеві грані яких розділені діелектричною теплопровідною прокладкою, а...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: сполук, кристалів, основі, мікро-та, наноструктур, процес, аiiвv, створення, об'ємних, напівпровідникових, низькосиметричних, групи

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...

Номер патенту: 49484

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: спосіб, основі, отримання, оптичного, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптичного матеріалу на основі CdSb, який включає етапи загрузки наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву підтримують на рівні T1=740±0,5К, а відпал закристалізованого злитку проводять при температурі T2=726±0,5 К протягом двох годин.

Номер патенту: 25168

Опубліковано: 25.07.2007

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/32

Мітки: процес, збирання, пельтьє, термоелектричних, модулів

Формула / Реферат:

1. Процес збирання термоелектричних модулів Пельтьє, який включає етап розташування гілок у розподільчій оправці разом з електротеплокомутуючими пластинами та їх наступну взаємну електротеплокомутацію, який відрізняється тим, що пластини попередньо контролюють за величиною електричного опору наявних електрокомутуючих доріжок з наступною заміною непридатних.2. Процес збирання термоелектричних модулів Пельтьє за п. 1, який...

Номер патенту: 9207

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: H01L 35/02, H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, модуль

Формула / Реферат:

Термоелектричний модуль, що складається з електротеплокомутуючих керамічних пластин, р- та n-гілок, висотою l та поперечним перерізом (mxn), який відрізняється тим, що відповідна кристалографічна площина розташовується перпендикулярно до пари протилежних бічних граней гілки та орієнтована до її торцевих граней (mxn) під кутом ,де

Номер патенту: 62351

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Раренко Анна Іларієвна, Бабій Петро Іванович

МПК: H01L 35/02

Мітки: приймач, випромінювання, термоелектричний, анізотропний

Формула / Реферат:

1. Анізотропний термоелектричний приймач випромінювання, що складається з термостатуючого корпусу із електровиводами і анізотропного термоелемента у вигляді прямокутної призми довжиною a, висотою b та шириною с (), який відрізняється тим, що кристалографічні осі з максимальною та мінімальною термо-е.р.с. розташовані в площині, що створена її висотою та діагоналлю, і...