C30B 29/30 — ніобати; ванадати; танталати

Номер патенту: 110209

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30, C30B 29/22 ...

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів, bіv0,92nb0,08o4

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08O4, який включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту додають 8 мол. % пентаоксиду ніобію, а кристали вирощують зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год., та...

Номер патенту: 109744

Опубліковано: 25.09.2015

Автори: Іванов Олексій Іванович, Волошина Олеся Василівна, Сідлецький Олег Цезарович, Курцев Даніїл Олександрович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 29/30, C09K 11/78

Мітки: гадолінію, спосіб, сцинтиляційного, матеріалу, отримання, основі, зокрема, танталату

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сцинтиляційного матеріалу на основі танталату, зокрема, танталату гадолінію, що включає змішування вихідних оксидів, які містять оксиди танталу та ніобію, їх попереднє сушіння, прожарювання та наступне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що вихідні оксиди додатково містять оксид гадолінію, змішують вихідні оксиди у стехіометричному співвідношенні, що відповідає загальній формулі GdNbxTa1-хО4, де х =...

Номер патенту: 108337

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Дорошенко Андрій григорович, Кравченко Валерій Борисович, Явецький Роман Павлович, Пархоменко Сергій Володимирович, Толмачов Олександр Володимирович, Копилов Юрій Леонідович, Косьянов Денис Юрійович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28, B28B 1/00 ...

Мітки: активованого, гранату, спосіб, іонами, алюмоітрієвого, неодиму, отримання, кераміки, лазерної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання лазерної кераміки алюмоітрієвого гранату, активованого іонами неодиму реакційним спіканням в вакуумі керамічних порошків оксидів Y2O3, Nd2О3 та Аl2О3, що включає гомогенізацію та помел, сушіння, компактування порошків та спікання компакту, який відрізняється тим, що після синтезу проводять помел нанопорошків оксидів ітрію Y2O3 та неодиму Nd2О3 до отримання слабоагрегованих частинок з розмірами 50-100 нм та субмікронних...

Номер патенту: 105337

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Назаренко Борис Петрович, Шеховцов Олексій Миколайович, Космина Мирон Богданович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 29/30, C30B 15/00

Мітки: ближнього, кристалічний, діапазону, дискретним, матеріал, кальцію, активних, ортованадату, неодимом, активованого, елементів, частоти, лазерів, перестроюванням, основі

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів ближнього ІЧ діапазону з дискретним перестроюванням частоти на основі кристалу ортованадату кальцію, активованого неодимом, який відрізняється тим, що додатково містить в своєму складі домішку літію і створює твердий розчин заміщення Ca3-x/2Lix(VO4)2:Nd при 0,3£х£1, а вміст неодиму складає 0,5-5 мас. %.

Номер патенту: 83344

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 29/22, C30B 29/30, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування, bіv0,92nb0,08o4

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08О4, що включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту добавляють 8 мол. % п'ятиокису ніобію, кристали вирощуються зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год. та обертання...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Крузіна Тетяна Володимирівна, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Бочкова Тетяна Михайлівна

МПК: C30B 29/22, C30B 29/30, C30B 15/00 ...

Мітки: вирощування, binbo4, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Номер патенту: 67457

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: отримання, процес, сурми

Формула / Реферат:

1. Процес отримання сурми гексагональної або ромбоедричної модифікацій, що складається з етапів загрузки наважки та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку сурми заданої модифікації.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку сурми гексагональної...

Номер патенту: 62629

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Гуцул Іван Васильович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: цинку, процес, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів цинку, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої направленої перекристалізації при Т1 = 692,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів цинку за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Номер патенту: 62628

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: процес, селену, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів селену, що складається з етапів загрузки наважки, подальшої направленої перекристалізації при температурі Т1 = 490 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів селену за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...

Номер патенту: 62627

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: процес, монокристалів, отримання, кадмію

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалів кадмію, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при , який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів кадмію за пунктом 1, який відрізняється тим, що його...

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: матеріалів, характеристик, напівпровідникових, корекції, процес

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Номер патенту: 60529

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: монокристалів, телуру, процес, отримання

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалу телуру, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при Т1=722,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості .2. Процес отримання монокристалу телуру за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають температурним відпалом...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: групи, сполук, наноструктур, основі, аiiвv, об'ємних, мікро-та, низькосиметричних, створення, кристалів, процес, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...

Номер патенту: 49484

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: матеріалу, оптичного, спосіб, отримання, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптичного матеріалу на основі CdSb, який включає етапи загрузки наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву підтримують на рівні T1=740±0,5К, а відпал закристалізованого злитку проводять при температурі T2=726±0,5 К протягом двох годин.

Номер патенту: 16591

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Романова Светлана Йосіфівна, Коршикова Тетяна Іванівна, Федірова Надія Миколаївна, Коток Людмила Анатоліївна, Салайчук Олена Констянтинівна, Моисеєнко Борис Іванович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Мітки: шихти, монокристалів, танталату, одержання, спосіб, літія, ниобату, вирощування

Формула / Реферат:

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития, включающий сухое смешивание исходной окиси ниобия или тантала и углекислого лития, взятых в стехчометрическом соотношении, и обжиг смеси при 1100-1150°С, отличающийся тем, что, с целью уменьшения отклонения от заданного сте-хиометрического соотношения и фазового состава смеси, перед смешиванием окись ниобия или тан­тала прокаливают при 1150-1200°С, а углекислый...