Маник Тетяна Орестівна
Процес отримання монокристалічних злитків fese, fete та твердих розчинів fesexte1-x
Номер патенту: 67792
Опубліковано: 12.03.2012
Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Савчук Андрій Йосипович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Орест Миколайович
МПК: C30B 31/20, C30B 29/26, C30B 9/00 ...
Мітки: злитків, fesexte1-x, fese, твердих, монокристалічних, процес, отримання, розчинів
Формула / Реферат:
1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...
Процес отримання сурми
Номер патенту: 67457
Опубліковано: 27.02.2012
Автори: Маник Тетяна Орестівна, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович
МПК: C30B 29/30, C30B 11/00
Мітки: отримання, процес, сурми
Формула / Реферат:
1. Процес отримання сурми гексагональної або ромбоедричної модифікацій, що складається з етапів загрузки наважки та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку сурми заданої модифікації.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку сурми гексагональної...
Процес отримання монокристалів цинку
Номер патенту: 62629
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Орест Миколайович, Гуцул Іван Васильович, Маник Тетяна Орестівна
МПК: C30B 29/30, C30B 11/00
Мітки: отримання, цинку, монокристалів, процес
Формула / Реферат:
1. Процес отримання монокристалів цинку, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої направленої перекристалізації при Т1 = 692,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів цинку за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...
Процес отримання монокристалів селену
Номер патенту: 62628
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/30
Мітки: селену, процес, отримання, монокристалів
Формула / Реферат:
1. Процес отримання монокристалів селену, що складається з етапів загрузки наважки, подальшої направленої перекристалізації при температурі Т1 = 490 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів селену за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають...
Процес отримання монокристалів кадмію
Номер патенту: 62627
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна
МПК: C30B 11/00, C30B 29/30
Мітки: кадмію, отримання, монокристалів, процес
Формула / Реферат:
1. Процес отримання монокристалів кадмію, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при , який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості.2. Процес отримання монокристалів кадмію за пунктом 1, який відрізняється тим, що його...
Процес отримання монокристалів телуру
Номер патенту: 60529
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/30
Мітки: процес, монокристалів, телуру, отримання
Формула / Реферат:
1. Процес отримання монокристалу телуру, що складається з етапів завантаження наважки, подальшої перекристалізації при Т1=722,5 К, який відрізняється тим, що додатково проводять етап температурного відпалу при температурах, що визначають його напівпровідникові та/або механічні властивості .2. Процес отримання монокристалу телуру за пунктом 1, який відрізняється тим, що його напівпровідникові властивості задають температурним відпалом...
Процес отримання оптичного матеріалу на основі znsb
Номер патенту: 56653
Опубліковано: 25.01.2011
Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович
МПК: C30B 29/00, C30B 11/00
Мітки: процес, матеріалу, основі, отримання, оптичного
Формула / Реферат:
Процес отримання оптичного матеріалу на основі ZnSb, який включає етапи завантаження наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву зони підтримують на рівні Т1=820±0,5 К, а відпал закристалізованого злитка проводять при температурі Т2=810±0,5 К протягом двох годин.
Процес створення об’ємних мікро-та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи аiiвv
Номер патенту: 50923
Опубліковано: 25.06.2010
Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/30
Мітки: групи, кристалів, мікро-та, об'ємних, створення, наноструктур, основі, аiiвv, процес, низькосиметричних, напівпровідникових, сполук
Формула / Реферат:
1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...
Спосіб отримання оптичного матеріалу на основі cdsb
Номер патенту: 49484
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/30
Мітки: матеріалу, спосіб, оптичного, основі, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання оптичного матеріалу на основі CdSb, який включає етапи загрузки наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву підтримують на рівні T1=740±0,5К, а відпал закристалізованого злитку проводять при температурі T2=726±0,5 К протягом двох годин.