Патенти з міткою «p-hg3in2te6»

Фотодіод на основі p-hg3in2te6

Завантаження...

Номер патенту: 92085

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Солован Михайло Миколайович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Кафанов Анатолій Михайлович, Майструк Едуард Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотодіод, p-hg3in2te6, основі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.