Патенти з міткою «p-hg3in2te6»
Фотодіод на основі p-hg3in2te6
Номер патенту: 92085
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Солован Михайло Миколайович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Кафанов Анатолій Михайлович, Майструк Едуард Васильович
МПК: H01L 33/00
Мітки: фотодіод, p-hg3in2te6, основі
Формула / Реферат:
Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.