Брус Віктор Васильович

Номер патенту: 116033

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Солован Михайло Миколайович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 31/07, H01L 31/072, H01L 31/073 ...

Мітки: основі, фотодіод, гетероструктурі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe, одним з компонентів якого є поглинач оптичного випромінювання n-CdTe, а другим - нанесена на нього плівка і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що другим компонентом є плівка МоОх, нанесена методом реактивного магнетронного розпилення, а фронтальним контактом є прошарок молібдену, напилений на плівку МоОх.

Номер патенту: 103918

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Козярський Іван Петрович, Майструк Едуард Васильович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Тарас Тарасович, Козярський Дмитро Петрович, Мостовий Андрій Ігорович, Солован Михайло Миколайович

МПК: H01L 33/00, C23C 14/35

Мітки: тонких, спосіб, cu2znsns4, czts, одержання, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.

Номер патенту: 94627

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: основі, графітових, гетероструктур, фоточутлівих, спосіб, виготовлення, плівок, нарисованих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок, що включає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що графітову плівку спочатку рисують на розчинній підкладці, а потім переносять на гладку або наноструктуровану поверхню напівпровідникової підкладки і формують якісний оптичний контакт.

Номер патенту: 92087

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: плівок, спосіб, виготовлення, графіту, фоточутлівих, діодів, основі, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих діодів Шотткі на основі плівок графіту, що передбачає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що нанесення графітової плівки здійснюють шляхом ковзання об'ємного зразка високочистого графіту при фіксованому навантаженні по підготовленій поверхні напівпровідникової підкладки.

Номер патенту: 92086

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Солован Михайло Миколайович, Ілащук Марія Іванівна, Брус Віктор Васильович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач n-TiN / p-CdTe, який містить поглинач оптичного випромінювання з p-CdTe та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді свіжотравленої монокристалічної підкладки p-CdTe, на яку нанесена плівка n-TiN, що має щільну структуру.

Номер патенту: 92085

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Майструк Едуард Васильович, Солован Михайло Миколайович, Брус Віктор Васильович, Кафанов Анатолій Михайлович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотодіод, основі, p-hg3in2te6

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.

Номер патенту: 92084

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Мостовий Андрій Ігорович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Кафанов Анатолій Михайлович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотодіод, основі, гетероструктурі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а як фронтальний шар - плівка n-ТiO2.

Номер патенту: 80759

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Брус Віктор Васильович, Кафанов Анатолій Михайлович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Солован Михайло Миколайович

МПК: H01L 33/00

Мітки: гетерофотодіод

Формула / Реферат:

 Гетерофотодіод, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а нанесена на підкладку плівка n-TiN.

Номер патенту: 62625

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Ілащук Марія Іванівна, Ковалюк Захар Дмитрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: сонячний, елемент

Формула / Реферат:

1. Сонячний елемент на основі анізотипної гетероструктури n-TiO2/p-CdTe, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку n-ТіО2, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді сколотої монокристалічної підкладки p-CdTe, а нанесена на підкладку плівка n-ТіО2 має щільну структуру.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що фронтальний контакт сонячного елемента виконаний...

Номер патенту: 57157

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/26

Мітки: гетероструктура, напівпровідникова, світловипромінююча

Формула / Реферат:

Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар фосфіду галію n-типу провідності, епітаксійний шар фосфіду галію n-типу провідності, тиловий та фронтальний електричні контакти, яка відрізняється тим, що на епітаксійний шар фосфіду галію нанесена плівка діоксиду титану n-типу провідності, на якій розташований фронтальний електричний контакт, а тиловий електричний контакт розташований на монокристалічному...

Номер патенту: 35691

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Микитюк Василь Іванович, Брус Віктор Васильович

МПК: F03D 3/00

Мітки: вітродвигун, роторний

Формула / Реферат:

1. Роторний вітродвигун, що містить вертикальний вал із двома ярусами радіальних кронштейнів, скріплених в кожному ярусі ребрами жорсткості, а між ярусами - вертикальними внутрішніми і зовнішніми осьовими стержнями, до останніх приєднані однією боковою стороною дугоподібні лопаті, який відрізняється тим, що вітродвигун додатково містить розташований між ярусами радіальних кронштейнів вітронаправляючий елемент, виконаний у вигляді суцільної...

Номер патенту: 25604

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Миронюк Денис Валерійович, Микитюк Василь Іванович, Брус Віктор Васильович

МПК: F03D 3/00

Мітки: роторний, вітродвигун

Формула / Реферат:

1. Роторний вітродвигун, що містить вертикальний вал, на обох кінцях якого рівномірно по колу розташовані радіальні кронштейни, кінці яких скріплені між собою горизонтальними зовнішніми кільцями і осьовими вертикальними зовнішніми стрижнями, до осьових стержнів закріплені лопаті, на кронштейнах розміщені внутрішні обмежувальні елементи, виконані у вигляді вертикальних внутрішніх стрижнів, який відрізняється тим, що вітродвигун містить...