Кафанов Анатолій Михайлович
Фотодіод на основі p-hg3in2te6
Номер патенту: 92085
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Кафанов Анатолій Михайлович, Брус Віктор Васильович, Солован Михайло Миколайович, Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: H01L 33/00
Мітки: фотодіод, основі, p-hg3in2te6
Формула / Реферат:
Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.
Фотодіод на основі гетероструктури
Номер патенту: 92084
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Брус Віктор Васильович, Кафанов Анатолій Михайлович, Мостовий Андрій Ігорович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: H01L 33/00
Мітки: основі, гетероструктурі, фотодіод
Формула / Реферат:
Фотодіод на основі гетероструктури, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а як фронтальний шар - плівка n-ТiO2.
Гетерофотодіод
Номер патенту: 80759
Опубліковано: 10.06.2013
Автори: Солован Михайло Миколайович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Кафанов Анатолій Михайлович
МПК: H01L 33/00
Мітки: гетерофотодіод
Формула / Реферат:
Гетерофотодіод, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а нанесена на підкладку плівка n-TiN.