Майструк Едуард Васильович

Номер патенту: 116079

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Солован Михайло Миколайович, Мостовий Андрій Ігорович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Тарас Тарасович

МПК: H01L 33/00, C23C 14/00

Мітки: тонкої, одержання, плівки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонкої плівки Cu2ZnSnSe4, який включає нанесення на підкладку плівки за допомогою магнетронного напилення з мішеней Zn, Sn, Сu та подальшого відпалу протягом 15 хвилин в парах селену, який відрізняється тим, що для нанесення плівки за допомогою реактивного магнетронного напилення при постійній напрузі використовують мішень Cu2ZnSn стехіометричного складу, а процес селенізації проводять при 450 °C.

Номер патенту: 116034

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, напівпровідникового, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять індій та телур, синтез напівпровідникового матеріалу, вирощування кристалів з нього методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів вводять кадмій, у співвідношенні, яке визначають стехіометричним складом напівпровідникового матеріалу Cd3In2Те6,...

Номер патенту: 103918

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Мостовий Андрій Ігорович, Брус Віктор Васильович, Козярський Дмитро Петрович, Солован Михайло Миколайович, Майструк Едуард Васильович, Козярський Іван Петрович, Ковалюк Тарас Тарасович

МПК: H01L 33/00, C23C 14/35

Мітки: одержання, czts, тонких, плівок, cu2znsns4, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.

Номер патенту: 92085

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Солован Михайло Миколайович, Кафанов Анатолій Михайлович, Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: основі, фотодіод, p-hg3in2te6

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.

Номер патенту: 92083

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Майструк Едуард Васильович, Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: лінійною, отримання, матеріалу, напівпровідникового, електропровідності, спосіб, температури, залежністю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають індій та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Номер патенту: 89560

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Димко Лариса Миколаївна

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, матеріалу, отримання, температури, прямопропорційною, електропровідності, залежністю, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть та телур, вирощування методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній і марганець у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого...

Номер патенту: 64288

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, термоелектричного, матеріалу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, сірка, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, виготовлення зразків термоелектричного матеріалу та відпал зразків у парах сірки, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають телур та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...

Номер патенту: 60532

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, отримання, матеріалу, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур та сірка, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що вихідні компоненти готують у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-хMnxTe1-zSez , a виготовлені зразки відпалюють у парах сірки.

Номер патенту: 60531

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, отримання, спосіб, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають залізо у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-х-yMnxFeyTe.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що виготовлені зразки...