Солован Михайло Миколайович
Спосіб одержання тонкої плівки
Номер патенту: 116079
Опубліковано: 10.05.2017
Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Тарас Тарасович, Солован Михайло Миколайович
МПК: C23C 14/00, H01L 33/00
Мітки: одержання, плівки, тонкої, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб одержання тонкої плівки Cu2ZnSnSe4, який включає нанесення на підкладку плівки за допомогою магнетронного напилення з мішеней Zn, Sn, Сu та подальшого відпалу протягом 15 хвилин в парах селену, який відрізняється тим, що для нанесення плівки за допомогою реактивного магнетронного напилення при постійній напрузі використовують мішень Cu2ZnSn стехіометричного складу, а процес селенізації проводять при 450 °C.
Фотодіод на основі гетероструктури mooх/n-cdte
Номер патенту: 116033
Опубліковано: 10.05.2017
Автори: Брус Віктор Васильович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Мостовий Андрій Ігорович, Солован Михайло Миколайович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: H01L 31/072, H01L 31/073, H01L 31/07 ...
Мітки: гетероструктурі, основі, фотодіод
Формула / Реферат:
Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe, одним з компонентів якого є поглинач оптичного випромінювання n-CdTe, а другим - нанесена на нього плівка і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що другим компонентом є плівка МоОх, нанесена методом реактивного магнетронного розпилення, а фронтальним контактом є прошарок молібдену, напилений на плівку МоОх.
Спосіб одержання тонких плівок cu2znsns4 (czts)
Номер патенту: 103918
Опубліковано: 12.01.2016
Автори: Солован Михайло Миколайович, Ковалюк Тарас Тарасович, Мостовий Андрій Ігорович, Брус Віктор Васильович, Майструк Едуард Васильович, Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: H01L 33/00, C23C 14/35
Мітки: спосіб, тонких, одержання, плівок, czts, cu2znsns4
Формула / Реферат:
Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.
Фотоприймач n-tin/p-cdte
Номер патенту: 92086
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Ілащук Марія Іванівна, Солован Михайло Миколайович
МПК: H01L 33/00
Мітки: фотоприймач
Формула / Реферат:
Фотоприймач n-TiN / p-CdTe, який містить поглинач оптичного випромінювання з p-CdTe та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді свіжотравленої монокристалічної підкладки p-CdTe, на яку нанесена плівка n-TiN, що має щільну структуру.
Фотодіод на основі p-hg3in2te6
Номер патенту: 92085
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович, Брус Віктор Васильович, Солован Михайло Миколайович, Кафанов Анатолій Михайлович
МПК: H01L 33/00
Мітки: p-hg3in2te6, основі, фотодіод
Формула / Реферат:
Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.
Гетерофотодіод
Номер патенту: 80759
Опубліковано: 10.06.2013
Автори: Солован Михайло Миколайович, Брус Віктор Васильович, Кафанов Анатолій Михайлович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: H01L 33/00
Мітки: гетерофотодіод
Формула / Реферат:
Гетерофотодіод, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а нанесена на підкладку плівка n-TiN.