Мар’янчук Павло Дмитрович

Номер патенту: 116079

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Солован Михайло Миколайович, Ковалюк Тарас Тарасович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: H01L 33/00, C23C 14/00

Мітки: одержання, тонкої, плівки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонкої плівки Cu2ZnSnSe4, який включає нанесення на підкладку плівки за допомогою магнетронного напилення з мішеней Zn, Sn, Сu та подальшого відпалу протягом 15 хвилин в парах селену, який відрізняється тим, що для нанесення плівки за допомогою реактивного магнетронного напилення при постійній напрузі використовують мішень Cu2ZnSn стехіометричного складу, а процес селенізації проводять при 450 °C.

Номер патенту: 116034

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, напівпровідникового, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять індій та телур, синтез напівпровідникового матеріалу, вирощування кристалів з нього методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів вводять кадмій, у співвідношенні, яке визначають стехіометричним складом напівпровідникового матеріалу Cd3In2Те6,...

Номер патенту: 116033

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Солован Михайло Миколайович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 31/072, H01L 31/073, H01L 31/07 ...

Мітки: фотодіод, гетероструктурі, основі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe, одним з компонентів якого є поглинач оптичного випромінювання n-CdTe, а другим - нанесена на нього плівка і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що другим компонентом є плівка МоОх, нанесена методом реактивного магнетронного розпилення, а фронтальним контактом є прошарок молібдену, напилений на плівку МоОх.

Номер патенту: 110938

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Дмитро Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: оберненої, напівпровідникового, пропорційною, залежністю, лінійною, отримання, температури, матеріалу, електропровідності, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, сірка, вирощування твердого розчину методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що вирощування проводять у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...

Номер патенту: 104442

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, отримання, температурним, коефіцієнтом, від'ємним, матеріалу, електропровідності, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності, що включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають сірку та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Номер патенту: 103918

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Солован Михайло Миколайович, Козярський Іван Петрович, Мостовий Андрій Ігорович, Брус Віктор Васильович, Ковалюк Тарас Тарасович, Козярський Дмитро Петрович

МПК: C23C 14/35, H01L 33/00

Мітки: czts, cu2znsns4, одержання, тонких, плівок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.

Номер патенту: 94627

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фоточутлівих, виготовлення, гетероструктур, основі, графітових, спосіб, нарисованих, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок, що включає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що графітову плівку спочатку рисують на розчинній підкладці, а потім переносять на гладку або наноструктуровану поверхню напівпровідникової підкладки і формують якісний оптичний контакт.

Номер патенту: 92087

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: плівок, виготовлення, шотткі, спосіб, основі, діодів, фоточутлівих, графіту

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих діодів Шотткі на основі плівок графіту, що передбачає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що нанесення графітової плівки здійснюють шляхом ковзання об'ємного зразка високочистого графіту при фіксованому навантаженні по підготовленій поверхні напівпровідникової підкладки.

Номер патенту: 92086

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Ілащук Марія Іванівна, Солован Михайло Миколайович, Брус Віктор Васильович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач n-TiN / p-CdTe, який містить поглинач оптичного випромінювання з p-CdTe та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді свіжотравленої монокристалічної підкладки p-CdTe, на яку нанесена плівка n-TiN, що має щільну структуру.

Номер патенту: 92085

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Кафанов Анатолій Михайлович, Солован Михайло Миколайович

МПК: H01L 33/00

Мітки: p-hg3in2te6, основі, фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.

Номер патенту: 92084

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Кафанов Анатолій Михайлович

МПК: H01L 33/00

Мітки: гетероструктурі, основі, фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а як фронтальний шар - плівка n-ТiO2.

Номер патенту: 92083

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: електропровідності, лінійною, матеріалу, температури, отримання, залежністю, спосіб, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають індій та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Номер патенту: 89560

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович, Димко Лариса Миколаївна

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникового, спосіб, електропровідності, залежністю, отримання, матеріалу, прямопропорційною, температури

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть та телур, вирощування методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній і марганець у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого...

Номер патенту: 84899

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, спосіб, напівпровідникового, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину (3HgSe)1-x(Al2Se3)x:Mn.

Номер патенту: 80759

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Солован Михайло Миколайович, Кафанов Анатолій Михайлович

МПК: H01L 33/00

Мітки: гетерофотодіод

Формула / Реферат:

 Гетерофотодіод, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а нанесена на підкладку плівка n-TiN.

Номер патенту: 64288

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, термоелектричного, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, сірка, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, виготовлення зразків термоелектричного матеріалу та відпал зразків у парах сірки, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають телур та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...

Номер патенту: 62625

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Ілащук Марія Іванівна, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: сонячний, елемент

Формула / Реферат:

1. Сонячний елемент на основі анізотипної гетероструктури n-TiO2/p-CdTe, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку n-ТіО2, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді сколотої монокристалічної підкладки p-CdTe, а нанесена на підкладку плівка n-ТіО2 має щільну структуру.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що фронтальний контакт сонячного елемента виконаний...

Номер патенту: 60532

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, спосіб, матеріалу, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур та сірка, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що вихідні компоненти готують у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-хMnxTe1-zSez , a виготовлені зразки відпалюють у парах сірки.

Номер патенту: 60531

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникового, матеріалу, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають залізо у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-х-yMnxFeyTe.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що виготовлені зразки...

Номер патенту: 57157

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Брус Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/26

Мітки: напівпровідникова, гетероструктура, світловипромінююча

Формула / Реферат:

Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар фосфіду галію n-типу провідності, епітаксійний шар фосфіду галію n-типу провідності, тиловий та фронтальний електричні контакти, яка відрізняється тим, що на епітаксійний шар фосфіду галію нанесена плівка діоксиду титану n-типу провідності, на якій розташований фронтальний електричний контакт, а тиловий електричний контакт розташований на монокристалічному...

Номер патенту: 56654

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Андрущак Галина Олегівна, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, спосіб, матеріалу, термоелектричного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків термоелектричного матеріалу, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти використовують ртуть, марганець, сірку у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-хMnxS, а виготовлені зразки відпалюють у парах сірки.2. Спосіб за п. 1,...

Номер патенту: 54351

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Девятков Валерій Миколайович, Микитюк Василь Іванович

МПК: F21V 14/00

Мітки: пристрій, освітлювальний, світлодіодний

Формула / Реферат:

Світлодіодний освітлювальний пристрій, який складається із змонтованої на платі керованої матрицісвітлодіодних джерел світла, який відрізняється тим, що кожне світлодіодне джерело світла містить групу світлодіодів, всі світлодіоди розташовані у одній площині таким чином, що їх вектори випромінювання паралельні та направлені в одну сторону, причому світлодіоди однієї групи мають однакові кути розкриття світлового потоку та силу...