Патенти з міткою «p-мон»
P-мон -транзистор
Номер патенту: 16473
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Громова Галина Володимирівна, Будзуляк Сергій Іванович, Горін Андрій Євгенович, Єрмаков Валерій Миколайович
МПК: H01L 29/72, H01L 29/772
Мітки: транзистор, p-мон
Формула / Реферат:
1. р-МОН-транзистор, який складається з монокристалічної напівпровідникової підкладнки п-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки S1-xGex, плівки діелектрика і металічного затвору, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку [110].2. р-МОН-транзистор за п. 1,...