H01L 29/72 — прилади типу транзисторів, тобто здатні безперервно реагувати на докладені керуючі сигнали
Пристрій для вимірювання індукції магнітного поля
Номер патенту: 114155
Опубліковано: 27.02.2017
Автор: Смірний Михайло Федорович
МПК: H01L 29/72, H01L 29/772, G01R 33/00, G01R 33/24 ...
Мітки: пристрій, магнітного, поля, індукції, вимірювання
Формула / Реферат:
Пристрій для вимірювання індукції магнітного поля, що містить одноперехідний магнітотранзистор, конденсатор, підключений до емітера, джерело постійної напруги, до емітера одноперехідного магнітотранзистора та до полюса джерела постійної напруги підключено польовий транзистор, увімкнутий за схемою каррентора, перший та другий резистори з'єднано відповідно з першою та другою базами одноперехідного магнітотранзистора, емітер якого через...
P-мон -транзистор
Номер патенту: 16473
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Горін Андрій Євгенович, Громова Галина Володимирівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Коломоєць Володимир Васильович
МПК: H01L 29/772, H01L 29/72
Мітки: транзистор, p-мон
Формула / Реферат:
1. р-МОН-транзистор, який складається з монокристалічної напівпровідникової підкладнки п-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки S1-xGex, плівки діелектрика і металічного затвору, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку [110].2. р-МОН-транзистор за п. 1,...
Спосіб контролю стабільності польового транзистора
Номер патенту: 21194
Опубліковано: 04.11.1997
Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Смертенко Петро Семенович, Чех Михайло Борисович, Цимбал Анатолій Йосипович
МПК: H01L 29/72, G01R 31/26, H01L 21/66 ...
Мітки: спосіб, контролю, польового, транзистора, стабільності
Формула / Реферат:
Способ контроля стабильности полевого транзистора, включающий измерение напряжения затвор-исток, отличающийся тем, что измеряют напряжение между затвором и истоком Uз-и при определенном напряжении между стоком и истоком Uc-м, затем пропускают прямой ток Iс через стоковый переход в течение времени t при определенном Uз-и и снова измеряют U~з-и, а о стабильности полевого транзистора судят по величине DUз-и = U~з-и – Uз-и.