Коломоєць Володимир Васильович

Спосіб підключення ламп розжарювання при освітленні житлових будинків та деяких промислових споруд

Завантаження...

Номер патенту: 65363

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Коломоєць Анатолій Володимирович, Коломоєць Володимир Васильович, Коломоєць Максим Анатолієвич

МПК: H02J 4/00, B21D 53/56, H02J 1/00 ...

Мітки: будинків, деяких, освітленні, промислових, підключення, споруд, розжарювання, ламп, спосіб, житлових

Формула / Реферат:

1. Спосіб підключення ламп розжарювання при освітленні житлових будинків та деяких промислових споруд, що включає підключення ламп розжарювання у мережу ~ 220 В, який відрізняється тим, що дві лампи розжарювання, що розраховані на включення паралельно у мережу ~ 220 В, включаються послідовно одна з одною.2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що включаються дві однакові по потужності лампи розжарювання, наприклад, по 75...

Шоколад з маковим наповнювачем

Завантаження...

Номер патенту: 40602

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Коломоєць Анатолій Володимирович

МПК: A23G 3/00, A23G 1/00

Мітки: наповнювачем, шоколад, маковим

Формула / Реферат:

Шоколад з маковим наповнювачем, що містить у своєму складі какао, який відрізняється тим, що додатково містить подрібнені або розмелені, або розчавлені за допомогою технології тиску зерна маку в кількості до 30-40 % від кількості какао.

Р-мон-транзистор

Завантаження...

Номер патенту: 36772

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Горін Андрій Євгенович, Громова Галина Володимирівна

МПК: H01L 29/00

Мітки: р-мон-транзистор

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, що складається з монокристалічної напівпровідникової підкладинки n-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки, плівки діелектрика і металічного затвора, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку {100}.2. р-МОН-транзистор за п. 1, який...

Замок для запонок

Завантаження...

Номер патенту: 34207

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Коломоєць Анатолій Володимирович, Коломоєць Володимир Васильович

МПК: A44B 5/00

Мітки: замок, запонок

Формула / Реферат:

1. Замок для запонок, що містить фіксатор для поворотного наконечника запонок, який відрізняється тим, що фіксатор виконано у вигляді пари концентрично розташованих шайб, скріплених між собою зовнішньою шайбою, яка пружинить і затискує внутрішню шайбу, яка має проріз для розташування перетинки запонки.2. Замок для запонок за п. 1, який відрізняється тим, що обидві шайби виконані з пластмаси.3. Замок для запонок за п. 1, який...

Пристрій для контролю тиску

Завантаження...

Номер патенту: 31101

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Івоняк Юрій Ігорович, Коломоєць Володимир Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: G01L 9/00

Мітки: контролю, тиску, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю тиску, що складається з напівпровідникових сенсорів тиску з частотним виходом, вузла передачі тиску на сенсори і дистанційного блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідникові сенсори тиску виготовлені на основі структури мікросхеми з входом на МОН-транзисторах.

Пристрій для контролю температури

Завантаження...

Номер патенту: 81477

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Коломоєць Володимир Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Калитчук Сергій Михайлович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: G01K 15/00, G01K 7/00

Мітки: температури, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

1. Пристрій для контролю температури, що складається з джерела живлення, напівпровідникового сенсора температури з частотним виходом і блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідниковий сенсор температури виготовлений щонайменше з чотирьох логічних елементів цифрової мікросхеми, кожен з яких має на вході два польових транзистори, причому вихід передостаннього логічного елемента...

Чутливий елемент для термоелемента

Завантаження...

Номер патенту: 23720

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Громова Галина Володимирівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Горін Андрій Євгенович

МПК: H01L 35/28, H01L 35/00

Мітки: чутливий, елемент, термоелемента

Формула / Реферат:

Чутливий елемент для термоелемента, що містить електрично зв'язані між собою та розташовані поперемінно напівпровідникові пластини із монокристалічного кремнію n-типу і монокристалічного напівпровідника р-типу з концентрацією носіїв струму 2-5 1018 см-3 і розділені шарами теплоізоляції з діелектрика, який відрізняється тим, що як напівпровідник р-типу використано пластини кремнію, орієнтовані в кристалографічному напрямку [100], крім того з...

P-мон -транзистор

Завантаження...

Номер патенту: 16473

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Громова Галина Володимирівна, Коломоєць Володимир Васильович, Горін Андрій Євгенович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 29/772, H01L 29/72

Мітки: p-мон, транзистор

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, який складається з монокристалічної напівпровідникової підкладнки п-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки S1-xGex, плівки діелектрика і металічного затвору, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку [110].2. р-МОН-транзистор за п. 1,...

Пристрій для проведення рентгенівського комп’ютерного обстеження

Завантаження...

Номер патенту: 16627

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Коломоєць Володимир Васильович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: A61B 6/00, G03B 42/02, A61B 6/02 ...

Мітки: обстеження, пристрій, комп'ютерного, проведення, рентгенівського

Формула / Реферат:

Пристрій для проведення рентгенівського комп’ютерного обстеження, що включає рентгенівську трубку, персональний комп’ютер, чутливий елемент для отримання зображення і сенсорну систему для введення зображення в персональний комп’ютер,  який відрізняється тим, що чутливим елементом для отримання зображення є широкоформатна фотопластина або фотоплівка, а для введення зображення в персональний комп’ютер використовується сканер.

Спосіб визначення залишкових механічних напружень в багатодолинних напівпровідникових кристалах

Завантаження...

Номер патенту: 31782

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Венгер Євген Федорович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Коломоєць Володимир Васильович, Доценко Юрій Павлович

МПК: G01L 3/00, G01L 1/06

Мітки: напівпровідникових, багатодолинних, визначення, кристалах, залишкових, механічних, напружень, спосіб

Текст:

...простого, більш точного та більш досконалого, в порівнянні з існуючими аналогами, способу визначення залишкових механічних напружень в кристалах багатодолинних напівпровідників, що виникають в процесі їх вирощування, змін в результаті проведення різного роду технологічних відпалів або в результаті іншого впливу на напівпровідниковий матеріал Вирішення цієї задачі здійснюється шляхом проведення вимірів зміни поздовжнього опору пари зразків...

Спосіб виготовлення гетеропереходу на основі шаруватого напівпровідника

Завантаження...

Номер патенту: 14605

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Бобицький Ярослав Васильович, Литовченко Володимир Григорович, Вознюк Євгеній Федорович, Демчина Любомир Андрійович, Коломоєць Володимир Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04

Мітки: основі, гетеропереходу, спосіб, виготовлення, напівпровідника, шаруватого

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления гетероперехода на ос­нове слоистого полупроводника, включающий ме­ханический прижим монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке, отличающийся тем, что слоистый полу­проводник предварительно облучают одиночным импульсом технологического лазера в месте пред­полагаемого расположения электрического кон­такта, на это место наносят металл с соответству­ющей работой выхода, отслаивают по...