Громова Галина Володимирівна
Р-мон-транзистор
Номер патенту: 36772
Опубліковано: 10.11.2008
Автори: Громова Галина Володимирівна, Коломоєць Володимир Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Горін Андрій Євгенович
МПК: H01L 29/00
Мітки: р-мон-транзистор
Формула / Реферат:
1. р-МОН-транзистор, що складається з монокристалічної напівпровідникової підкладинки n-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки, плівки діелектрика і металічного затвора, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку {100}.2. р-МОН-транзистор за п. 1, який...
Чутливий елемент для термоелемента
Номер патенту: 23720
Опубліковано: 11.06.2007
Автори: Горін Андрій Євгенович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Громова Галина Володимирівна, Коломоєць Володимир Васильович
МПК: H01L 35/28, H01L 35/00
Мітки: елемент, термоелемента, чутливий
Формула / Реферат:
Чутливий елемент для термоелемента, що містить електрично зв'язані між собою та розташовані поперемінно напівпровідникові пластини із монокристалічного кремнію n-типу і монокристалічного напівпровідника р-типу з концентрацією носіїв струму 2-5 1018 см-3 і розділені шарами теплоізоляції з діелектрика, який відрізняється тим, що як напівпровідник р-типу використано пластини кремнію, орієнтовані в кристалографічному напрямку [100], крім того з...
P-мон -транзистор
Номер патенту: 16473
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Коломоєць Володимир Васильович, Громова Галина Володимирівна, Горін Андрій Євгенович
МПК: H01L 29/772, H01L 29/72
Мітки: транзистор, p-мон
Формула / Реферат:
1. р-МОН-транзистор, який складається з монокристалічної напівпровідникової підкладнки п-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки S1-xGex, плівки діелектрика і металічного затвору, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку [110].2. р-МОН-транзистор за п. 1,...