Будзуляк Сергій Іванович

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Оптасюк Сергій Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Серпак Наталія Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович, Борук Сергій Дмитрович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/46

Мітки: високочистих, кадмію, телуриду, колоїдних, синтезу, розчинів, нанокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Номер патенту: 112507

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Оптасюк Сергій Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Борук Сергій Дмитрович

МПК: C30B 7/08, C30B 29/46

Мітки: телуриду, синтезу, органічно-неорганічному, нанокристалів, спосіб, кадмію, розчиннику

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсору кадмію - CdI2, прекурсору телуру – H2Te, модифікатора - тіогліколевої кислоти та регулятора кислотності колоїдного розчину NaOH в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв, який відрізняється тим, що синтез здійснюють в колоїдному розчині, який додатково містить метанол при наступному мольному співвідношенні компонентів:метанол - (3,1±0,1)´10-1...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Фочук Петро Михайлович, Дремлюженко Сергій Григорович, Єрмаков Валерій Миколайович, Раренко Іларій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Вахняк Надія Дмитрівна, Колісник Михайло Георгійович, Демчина Любомир Андрійович, Мисевич Ігор Захарович, Захарук Зінаїда Іванівна, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C30B 1/00, C30B 13/10, C30B 13/02 ...

Мітки: cdxmn1-xte, твердих, cdxzn1-xte, розчинів, спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Номер патенту: 110303

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Курик Андрій Онуфрійович, Борук Сергій Дмитрович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C01B 17/20, C01B 19/04, C01G 11/00 ...

Мітки: монодисперсних, колоїдному, нанокристалів, розчині, спосіб, кадмію, отримання, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що отриманий колоїдний розчин нанокристалів додатково розділяють на різні фракції за розмірами нанокристалів шляхом седиментаційного осадження за допомогою додавання до колоїдного розчину...

Номер патенту: 105846

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Тріщук Любомир Іванович, Борук Сергій Дмитрович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Капуш Ольга Анатоліївна, Єрмаков Валерій Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C01B 19/04, C30B 7/08, C01G 11/00 ...

Мітки: кадмію, спосіб, нанокристалів, синтезу, легованих, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6•10-2-1,15•10-1 моль/л шляхом взаємодії прекурсорів в реакторі повного змішування напівперіодичної дії впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що нанокристали кадмію телуриду в процесі синтезу додатково легують домішковими атомами рідкоземельних елементів з...

Номер патенту: 103984

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00, C01B 19/04 ...

Мітки: основі, пристрою, телуриду, світловипромінюючого, нанокристалів, виготовлення, кадмій, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого у видимій спектральній області пристрою, який включає нанесення шару світловипромінюючої речовини в суміші з полімером на ультрафіолетовий світлодіод та подальше висушування, який відрізняється тим, що світловипромінюючою речовиною служить водний розчин стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe з концентрацією (1,1·0,1)10-5 моль/л із 50±1,5 % водним розчином полімеру, причому...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Борук Сергій Дмитрович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C01G 11/00, C01G 1/02, C01B 19/04 ...

Мітки: телуридів, підгрупи, напівпровідникових, нанокристалів, цинку, пристрій, металів, синтезу

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Номер патенту: 102352

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Мазарчук Ірина Опанасівна, Курик Андрій Онуфрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Морозовська Валентина Йосипівна, Борук Сергій Дмитрович

МПК: C30B 7/08, C01B 19/04, C01G 11/00 ...

Мітки: телуриду, колоїдного, нанокристалів, стабілізованих, кадмію, спосіб, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л що включає взаємодію прекурсорів в періодичному реакторі повного змішування впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють трансфер отриманих у водному середовищі нанокристалів CdTe в диметилформамід шляхом прикапування...

Номер патенту: 99205

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Зинюк Олександр Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: плівкових, основі, кадмій, телуриду, наногетерогенних, структур, отримання, нанокристалів, спосіб, люмінесцентних, твердотільних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наногетерогенних твердотільних люмінесцентних плівкових структур на основі нанокристалів кадмій телуриду (CdTe), який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії відповідних прекурсорів в деіонізованій воді в реакторі періодичної дії, змішування отриманого розчину нанокристалів CdTe із водним розчином полімеру, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на...

Номер патенту: 92850

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Мазарчук Ірина Опанасівна, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C01B 19/00, C30B 28/00, C01G 11/00 ...

Мітки: синтезу, стабілізованих, телуриду, розчині, нанокристалів, колоїдному, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині протягом 2-9 хв. з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти в деіонізованій воді з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л, який відрізняється тим, що після закінчення процесів формування нанокристалів кадмію телуриду у деіонізованій воді в колоїдний розчин додатково додають 5 %-й розчин желатину та інгібітор...

Номер патенту: 88968

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович, Мазарчук Ірина Опанасівна

МПК: C01B 17/20, C01B 19/00, C01G 11/00 ...

Мітки: синтезу, вібраційностійких, матриці, спосіб, нанокристалів, кадмій, твердотільний, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в твердотільній матриці, який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії прекурсорів в деіонізованій воді, полімеризацію матриці із синхронним інкорпоруванням в матрицю утворених нанокристалів, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на підкладку та висушування утвореної плівки за відсутності освітлення, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 86545

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Калитчук Сергій Михайлович, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C03B 7/00, C01G 11/00

Мітки: синтезу, нанокристалів, розчині, кадмію, колоїдному, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л і водного розчину підсилювача дії модифікатора, який відрізняється тим, що як підсилювач дії модифікатора використовують розчин гліцерину з концентрацією 9-11 %.

Номер патенту: 72767

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Калитчук Сергій Михайлович, Капуш Ольга Анатоліївна, Мазарчук Ірина Опанасівна, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: телуриду, спосіб, стабілізованих, синтезу, нанокристалів, кадмій

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу стабілізованих нанокристалів кадмій телуриду, що здійснюють в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, який відрізняється тим, що колоїдний розчин додатково містить етиленгліколь з концентрацією 9-11 %, як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв.

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Томашик Василь Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Галкін Сергій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Кравцова Анна Сергіївна, Стратійчук Ірина Борисівна, Сосницька Ольга Олександрівна, Калитчук Сергій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: поверхні, полірованої, формування, спосіб, цинк, кристалів, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Номер патенту: 62707

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Щербак Лариса Павлівна, Демчина Любомир Андрійович, Халавка Юрій Богданович, Калитчук Сергій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 21/04, H01L 33/00, H01L 51/00 ...

Мітки: телуриду, квантових, оптрон, точок, основі, кадмію

Формула / Реферат:

Оптрон, який складається з фотоприймача та світловипромінюючого пристрою, який відрізняється тим, що фотоприймачем є гетерофотоелемент, виготовлений із шаруватих напівпровідників GaSe та InSe, а світловипромінюючий пристрій виконаний у вигляді електролюмінесцентної багатошарової полімерної матриці з квантовими точками телуриду кадмію, яка нанесена на поверхню GaSe.

Номер патенту: 54854

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Халавка Юрій Богданович, Калитчук Сергій Михайлович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Щербак Лариса Павлівна, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00, C01B 17/20 ...

Мітки: заданого, кадмію, спосіб, нанокристалів, розміру, телуриду, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів телуриду кадмію заданого розміру в колоїдному розчині вихідних реактивів в деіонізованій воді, що містять телур і кадмій, який відрізняється тим, що синтез проводять при рН= 12,0-12,3 в інертній атмосфері при кімнатних температурах тривалістю 1-6 хвилин, як джерела кадмію використовують Cd(C104)2.6H2O, джерела телуру - телуроводень Н2Те, а колоїдний розчин додатково містить пасиватори -тіогліколеву кислоту (TGA)...

Номер патенту: 31101

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Івоняк Юрій Ігорович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: G01L 9/00

Мітки: тиску, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю тиску, що складається з напівпровідникових сенсорів тиску з частотним виходом, вузла передачі тиску на сенсори і дистанційного блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідникові сенсори тиску виготовлені на основі структури мікросхеми з входом на МОН-транзисторах.

Номер патенту: 81477

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Коломоєць Володимир Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: G01K 7/00, G01K 15/00

Мітки: температури, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

1. Пристрій для контролю температури, що складається з джерела живлення, напівпровідникового сенсора температури з частотним виходом і блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідниковий сенсор температури виготовлений щонайменше з чотирьох логічних елементів цифрової мікросхеми, кожен з яких має на вході два польових транзистори, причому вихід передостаннього логічного елемента...

Номер патенту: 23720

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Громова Галина Володимирівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Горін Андрій Євгенович, Коломоєць Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00, H01L 35/28

Мітки: елемент, чутливий, термоелемента

Формула / Реферат:

Чутливий елемент для термоелемента, що містить електрично зв'язані між собою та розташовані поперемінно напівпровідникові пластини із монокристалічного кремнію n-типу і монокристалічного напівпровідника р-типу з концентрацією носіїв струму 2-5 1018 см-3 і розділені шарами теплоізоляції з діелектрика, який відрізняється тим, що як напівпровідник р-типу використано пластини кремнію, орієнтовані в кристалографічному напрямку [100], крім того з...

Номер патенту: 16473

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Громова Галина Володимирівна, Будзуляк Сергій Іванович, Горін Андрій Євгенович, Коломоєць Володимир Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 29/772, H01L 29/72

Мітки: транзистор, p-мон

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, який складається з монокристалічної напівпровідникової підкладнки п-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки S1-xGex, плівки діелектрика і металічного затвору, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку [110].2. р-МОН-транзистор за п. 1,...

Номер патенту: 16627

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Коломоєць Володимир Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: A61B 6/02, A61B 6/00, G03B 42/02 ...

Мітки: проведення, обстеження, пристрій, комп'ютерного, рентгенівського

Формула / Реферат:

Пристрій для проведення рентгенівського комп’ютерного обстеження, що включає рентгенівську трубку, персональний комп’ютер, чутливий елемент для отримання зображення і сенсорну систему для введення зображення в персональний комп’ютер,  який відрізняється тим, що чутливим елементом для отримання зображення є широкоформатна фотопластина або фотоплівка, а для введення зображення в персональний комп’ютер використовується сканер.

Номер патенту: 46513

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Крюченко Юрій Володимирович, Бобицький Ярослав Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Крилюк Сергій Георгійович

МПК: H01L 21/04

Мітки: основі, х-випромінювання, спосіб, cdznte, детектора, напівпровідників, високоомних, виготовлення, сdte

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора  - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv  Eg  і густиною...

Номер патенту: 31782

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Коломоєць Володимир Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Венгер Євген Федорович, Єрмаков Валерій Миколайович, Доценко Юрій Павлович

МПК: G01L 1/06, G01L 3/00

Мітки: залишкових, напівпровідникових, кристалах, напружень, багатодолинних, спосіб, механічних, визначення

Текст:

...простого, більш точного та більш досконалого, в порівнянні з існуючими аналогами, способу визначення залишкових механічних напружень в кристалах багатодолинних напівпровідників, що виникають в процесі їх вирощування, змін в результаті проведення різного роду технологічних відпалів або в результаті іншого впливу на напівпровідниковий матеріал Вирішення цієї задачі здійснюється шляхом проведення вимірів зміни поздовжнього опору пари зразків...