Патенти з міткою «p-znse»

Номер патенту: 29700

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Сташко Назар Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, кристалів, p-znse, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів p-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для здійснення їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe p-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т = (1420 ± 3) К і парціальному тиску...