Сташко Назар Васильович

Номер патенту: 29700

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Сташко Назар Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, кристалів, p-znse, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів p-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для здійснення їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe p-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т = (1420 ± 3) К і парціальному тиску...

Номер патенту: 26751

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Сташко Назар Васильович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: кристалів, напівпровідникових, спосіб, p-типу, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170