Спосіб отримання кристалів p-znse

Спосіб отримання кристалів p-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для здійснення їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe p-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т = (1420 ± 3) К і парціальному тиску пари селену PSe > 10-2 атм. (19) (21) u200710285 (22) 17.09.2007 (24) 25.01.2008 (72) ФРЕЇК ДМИТРО МИ ХАЙЛОВИЧ, UA, МЕЖИЛОВСЬКА ЛЮБОВ ЙОСИПІВНА, U A, БАБУЩАК ГАЛИН А ЯРОСЛАВІВНА, UA, СТАШКО НАЗАР ВАСИЛЬОВИЧ, U A (73) ПРИКАРПАТСЬКИЙ НАЦІОН АЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ВАСИЛЯ СТЕФАНИКА, U A (56) 3 29700 тобто мають р-тип. Це пов'язано з тим, що при відпалі у парах селену у кристалах ZnSe домінують одно- та двозарядні вакансії цинку VZn , 2VZn і які є ефективними акцепторами. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnSe р-типу здійснюється наступним чином. Вихідні компоненти - цинк і селен поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трьохсекційною піччю. При цьому дві крайні секції служать для випаровування компонентів, а середня виконує функцію для кристалізації сполуки. Крім того, одержані кристали віддають двотемпературному відпалу у парах селену. Вихідні компоненти - цинк і селен - високого класу чистоти поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трьохсекційною піччю. Одна секція використовується для випаровування цинку, друга - для випаровування селену, середня секція пічки являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки ZnSe. Отримані кристали ZnSe піддають двотемпературному відпалу при температурі Т=(1420±3)К і парціальному тиску P > 10-2 атм пари селену Se 2 . Приклад конкретного виконанняі. Отримані таким чином кристали мають р-тип провідності. Основними точковими дефектами є одно- і двозарядні вакансії у катіонній підгратці 2VZn , VZn і які є акцепторами, а також міжвузлові 2+ атоми цинку Zni . Кристалоквазіхімічна формула p-ZnSe буде (Zn ) ´ 22+ ´ (1-b )(1- e )V(1- b)e + b )(1- m ) V((1- b)e + b )m Zn Se Se (Zn ) 2+ (1- b)e i тут b - відхилення від стехіометричного складу; m коефіцієнт диспропорціювання вакансій цинку, Zn´ - цинк у вузлах кристалічної ґратки; e Zn частка атомів цинку у вузлах кристалічної гратки, “+”,“-”,“x” - позитивний, негативний та нейтральний заряди. Рівняння повної електронейтральності у цьому випадку матиме вигляд [ ][ ] [ ] 22 VZn + VZn + n 2 Zn2 + + p , = i а холлівська концентрація визначатиметься із співвідношення [ ] [ ][ ] 2nH = n - p = 2 Zn 2 + - 2 VZn - VZn . i Таким чином, змінюючи парціальний тиск P селену Se2 при відпалі кристалів можна впливати на величину відхилення від сте хіометричного складу b, а отже і концентрацію дефектів, які і визначають тип провідності І холлівську концентрацію носіїв струму nH. 4