Патенти з міткою «р-і-n-діод»

Номер патенту: 8455

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Суворова Лідія Михайлівна, Болтовець Микола Силович, Сєдова Марина Олексійовна, Басанець Володимир Васильович

МПК: H01L 29/86, H01L 21/02, H01L 21/04 ...

Мітки: безкорпусний, р-і-n-діод, кремнієвий, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...