Сєдова Марина Олексійовна
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод
Номер патенту: 8455
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Басанець Володимир Васильович, Сєдова Марина Олексійовна, Суворова Лідія Михайлівна, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...
Мітки: надвисокочастотний, кремнієвий, р-і-n-діод, безкорпусний
Формула / Реферат:
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...