Болтовець Микола Силович

Номер патенту: 108190

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Шеремет Володимир Миколайович, Кладько Василь Петрович, Сай Павло Олегович, Виноградов Анатолій Олегович, Сафрюк Надія Володимирівна, Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 21/268, H01L 29/45

Мітки: створення, спосіб, контакту, омічного

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...

Номер патенту: 106825

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/268

Мітки: систем, спосіб, контактних, виготовлення, термостійких, метал-si

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...

Номер патенту: 103551

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Коростинська Тамара Василівна, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Насиров Махсуд Уалієвич, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 29/47

Мітки: з'єднань, а3в5, типу, бар'єрних, виготовлення, контактів, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Сліпокуров Віктор Сергійович, Слєпова Олександра Станіславівна, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Семенов Олександр Володимирович, Зайцев Борис Васильович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коростинська Тамара Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 29/861, H01L 47/00

Мітки: діод, фосфід-індієвий, ганна

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Номер патенту: 101023

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 21/314, H01L 21/268

Мітки: n+-кремнію, омічного, ненагрівний, виготовлення, спосіб, контакту

Формула / Реферат:

Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...

Номер патенту: 101022

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Виноградов Анатолій Олегович, Басанець Володимир Васильович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович

МПК: G01R 19/28, G01R 27/04, G01R 31/26 ...

Мітки: потенційно, діодів, ненадійних, лавинно-пролітних, імпульсних, спосіб, відбраковування

Формула / Реферат:

Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Ткаченко Олександр Кирилович, Бєляєв Олександр Євгенович, Іванов Володимир Миколайович, Пилипчук Олександр Сергійович, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/268

Мітки: створення, а3в5, омічного, напівпровідників, типу, низькотемпературного, спосіб, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дуб Максим Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/52, H01L 29/40 ...

Мітки: омічна, термостійка, контактна, алмазу, система, напівпровідникового, приладу

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Номер патенту: 95630

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Слєпова Олександра Станіславівна, Голинна Тетяна Іванівна, Матвєєва Людмила Олександрівна, Литвин Петро Мар'янович, Холевчук Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Мітін Вадим Федорович, Венгер Євген Федорович

МПК: G01J 5/20, G01K 7/22

Мітки: терморезистора, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення терморезистора, який включає осадження термочутливої плівки монокристалічного германію у вакуумі на підкладку із напівізолюючого арсеніду галію, який відрізняється тим, що термочутливу плівку осаджують зі швидкістю V£Vn, при якій у плівці відбувається релаксація пружних напружень шляхом утворення крупномасштабного рельєфу на поверхні плівки і випадкових нанонеоднорідностей в об'ємі, до товщини d£dr, де товщина...

Номер патенту: 94616

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Конакова Раїса Василівна, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Коростинська Тамара Василівна, Болтовець Микола Силович, Сай Павло Олегович, Капітанчук Леонід Мусійович, Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 21/268

Мітки: n-ain, спосіб, омічних, створення, контактів

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Голинна Тетяна Іванівна, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Семенов Олександр Володимирович, Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Сай Павло Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Слєпова Олександра Станіславівна

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: діод, основі, ганна

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 93207

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Шеремет Володимир Миколайович, Семенов Олександр Володимирович, Кривуца Валентин Антонович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Холевчук Володимир Васильович, Мітін Вадим Федорович

МПК: G01K 1/00

Мітки: температури, датчик

Формула / Реферат:

1. Датчик для вимірювання температури, виготовлений у вигляді чипа, що містить в собі чутливий шар напівпровідникового матеріалу з омічними контактами, корпус якого складається з основи та кришки, електричних виводів для монтажу в вимірювальних колах, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконаний у вигляді епітаксійної плівки SiC, вирощеної на підкладці сапфіру, причому до сторони SiC сформовані омічні контакти Ті-Мо-Au, які мають...

Номер патенту: 91936

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/268

Мітки: омічного, виготовлення, спосіб, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...

Номер патенту: 87820

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Виноградов Анатолій Олегович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Коростинська Тетяна Василівна

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, контакту, спосіб, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...

Номер патенту: 78936

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Новицький Сергій Вадимович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/268

Мітки: формування, контакту, кремнію, омічного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...

Номер патенту: 72164

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Березюк Федір Борисович, Маруненко Юрій Володимирович, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Крицька Тетяна Володимирівна, Зоренко Олександр Вольтович, Рижков Микола Ігорович

МПК: G01R 23/02

Мітки: надвисоких, діоді, планарному, шотткі, частот, бар'єром, змішувач

Формула / Реферат:

Змішувач надвисоких частот на планарному діоді з бар'єром Шотткі, що містить активний параметричний елемент - безкорпусний діод з бар'єром Шотткі, який виконаний з плоскими смужковими виводами і з'єднаний анодним кінцем з узгодженою смужковою лінією передачі, розміщеною вздовж симетричної і паралельно вузькій стороні хвилеводу з пристроями для подавання сигналів, які приймаються приймачем та гетеродином, узгоджену з активним елементом...

Номер патенту: 71701

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Крицька Тетяна Володимирівна, Веремійченко Георгій Микитович, Зоренко Олександр Вольтович, Басанець Володимир Васильович, Рижков Микола Ігорович, Маруненко Юрій Володимирович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/864

Мітки: лавинно-пролітний, імпульсний, діод

Формула / Реферат:

1. Імпульсний лавинно-пролітний діод, який складається з кремнієвої мезаструктури типу р+ - р - n - n+, до протилежних сторін якої сформовані низькоомні контактні системи, до сторони р+ створений інтегральний тепловід визначеної товщини і форми, проміжні і контактуючі шари до сторін р+ та n+, які забезпечують приєднання до зовнішніх електричних виводів, корпуса з діелектричного матеріалу у вигляді циліндричної порожнистої втулки з...

Номер патенту: 66914

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 29/00

Мітки: металів, лавинно-пролітний, діод, основі, контактною, групи, платинової, системою

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович

МПК: G01N 25/00

Мітки: спосіб, опору, вимірювання, напівпровідникових, діодів, теплового

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Мілєнін Віктор Володимирович

МПК: H01L 21/268

Мітки: створення, напівпровідників, контактів, спосіб, широкозонних, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...

Номер патенту: 55762

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01R 27/08

Мітки: пристрій, контакту, вимірювання, параметрів, омічного, напівпровідника

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника, який містить вимірювальний блок, що складається з генератора постійного струму і не менше ніж чотирьох зондів, два з яких під'єднано до генератора, а решта - до вимірювача напруги, і предметний столик для досліджуваних зразків, який відрізняється тим, що пристрій додатково має термостат з керованою температурою, в якому розміщені предметний столик разом з зондами.

Номер патенту: 51493

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Кривуца Валентин Антонович, Личман Кирило Олексійович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 23/48

Мітки: параметричний, шотткі, бар'єри, діод, нвч

Формула / Реферат:

НВЧ параметричний діод на бар'єрі Шотткі, який містить в собі осесиметричну напівпровідникову структуру з областями n і n+, бар'єр Шотткі, сформований зі сторони n-шару, омічний контакт, який виконаний до сторони n+, контактуючі з'єднувальні шари, які нанесені на омічний контакт та на шар, який утворює з поверхнею n бар'єр Шотткі, який відрізняється тим, що напівпровідникова структура виконана з карбіду кремнію, а між шаром омічного контакту...

Номер патенту: 50180

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Крицька Тетяна Володимирівна, Личман Кирило Олексійович, Гуцул Антон Вікторович, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Зоренко Александр Вольтович

МПК: H03K 17/00

Мітки: надвисокочастотний, перемикаючий, пристрій

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний перемикаючий пристрій, що містить в собі металевий корпус, забезпечений коаксіальними вводом та виводом енергії, вводом живлення постійної напруги, закріплену всередині корпуса металізовану діелектричну підкладинку з чотирма мікросмужковими відрізками передавальної лінії та послідовно ввімкненими між ними р-і-n діодами, фільтрами, які розв'язують лінію передачі від джерела живлення, два співвісні коаксіально-мікросмужкові...

Номер патенту: 49867

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Веремійченко Георгій Микитович, Коростинська Тамара Васильовна, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович

МПК: H01L 29/00

Мітки: діод, лавинно-пролітний, термостійкою, системою, контактною

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою, який виконано у вигляді кремнієвої мезаструктури типу р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані контактні системи, які складаються з дисиліциду паладію, послідовно нанесених тонких адгезійних шарів титану та контактуючих шарів платини або паладію, сполучних шарів з плівок золота, який відрізняється тим, що між шарами р+ i n+ і шарами силіциду паладію сформовані низькоомні шари...

Номер патенту: 48718

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Личман Кирило Олексійович, Суворова Лідія Михайлівна, Болтовець Микола Силович, Кривуца Валентин Антонович, Басанець Володимир Васильович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/02, H01L 29/86 ...

Мітки: р-i-n, діод, кремнієвий, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 47386

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Шинкаренко Володимир Вікторович

МПК: G01R 19/28, G01R 27/04, G01R 31/26 ...

Мітки: діодів, апаратура, надпотужних, імпульсних, лпд, лавинопрольотних, напівпровідникових, діагностики, надійності

Формула / Реферат:

Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...

Номер патенту: 46834

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Болтовець Микола Силович, Уріцкая Надія Ярославівна, Личман Кирило Олексійович, Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович, Кривуца Валентин Антонович, Голинная Тетяна Іванівна

МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...

Мітки: кремнію, p-i-n-діод, карбіду, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...

Номер патенту: 43851

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Голинная Тетяна Іванівна, Веремійченко Георгій Микитович, Кривуца Валентин Антонович, Личман Кирило Олексійович, Уріцкая Надія Ярославівна

МПК: H01L 21/04, H01L 21/02, H01L 29/86 ...

Мітки: p-і-n, діод, надвисокочастотний, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...

Номер патенту: 30533

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Болтовець Микола Силович, Ніколаєнко Юрій Григорович, Суворова Лідія Михайлівна, Личман Кирило Олексійович, Кривуца Валентин Антонович

МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...

Мітки: безкорпусний, кремнієвий, діод, p-і-n, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...

Номер патенту: 81185

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Миколаєнко Валентина Іванівна, Слєпова Олександра Станіславівна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/864

Мітки: діод, лавино-пролітний

Формула / Реферат:

Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним  розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу  і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...

Номер патенту: 8455

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Болтовець Микола Силович, Суворова Лідія Михайлівна, Басанець Володимир Васильович, Сєдова Марина Олексійовна

МПК: H01L 21/04, H01L 21/02, H01L 29/86 ...

Мітки: безкорпусний, р-і-n-діод, надвисокочастотний, кремнієвий

Формула / Реферат:

Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...

Номер патенту: 36917

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Коростинська Тамара Василівна

МПК: H01L 29/40

Мітки: мілкозалегаючим, переходом, структури, система, контактна, багатошарова, кремнієвої

Текст:

...рівняння: T1=T 2+DRT×P (4) DRT - гранично допустиме значення теплового опору бар'єрного шару; Р - потік тепла через бар'єрний шар. Вирішуючи (2) відносно L, знаходимо гранично максимальну товщин у бар'єрного шару: м3 Q - кількість речовини, накопиченої на поверхні розділу метал-бар'єрний шар, атом . м3 2 Новими ознаками, які має дане технічне рішення порівняно з прототипом, є виконання бар'єрного шару з певним відношенням титану до азоту і...

Номер патенту: 33483

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна

МПК: C23C 28/00, C23C 30/00

Мітки: вакуумі, отримання, пристрій, плівкових, покриттів, багатошарових

Текст:

...(15) - 1995-C. 2305-2309]. Пристрій містить вакуумну камеру з розміщеними в ній електронно-променевим випарником та сітковим іонізатором, утримувач з підкладкою і газову систему. Процес отримання плівок TiN реалізований при тиску азоту 5-Ю" 4 мм.рт.ст. З швидкістю 0.16 мкміхв при температурі підкладки 350ч-370 °С. Бар'єрні плівки високої пластичності були отримані при прискорюючій напрузі 5 кВ. Параметри електронно-променевого випарника — U =...

Номер патенту: 2693

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Болтовець Микола Силович, Кутас Віталій Георгійович, Сидоренко Сергій Іванович, Макогон Юрій Миколайович, Базарний Юрій Олексійович, Руденко Ольга Василівна

МПК: H01L 21/28

Мітки: багатошарової, спосіб, металізації, виготовлення, контактної

Формула / Реферат:

Способ изготовления многослойной контакт­ной металлизации, включающий нанесение на кремниевую подложку слоя палладия и слоя золо­та, отличающийся тем, что, с целью повышения длинновременной стабильности параметров ме­таллизации, между кремниевой подложкой и сло­ем палладия осаждают барьерный слой вольфрама с добавкой рения 15—27% толщиной 0,15— 0,5 мкм.