Патенти з міткою «кремнієвий»

Номер патенту: 109648

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/50, C23C 14/54 ...

Мітки: спосіб, отримання, кремнієвий, підкладці, контактів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.

Номер патенту: 99050

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Лавріч Юрій Миколайович, Бистров Микола Іванович, Соколовський Іван Івановіч, Плаксін Сергій Вікторович, Погоріла Любов Михайлівна, Дзензерський Віктор Олександрович

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06

Мітки: перетворювач, фотоелектричний, кремнієвий

Формула / Реферат:

Кремнієвий фотоелектричний перетворювач, який містить розташовану на металевій пластині світлочутливу матрицю з напівпровідникового полімеру, що містить металеві наночастинки, з обмеженнями по концентрації вказаних частинок, прозорий провідний шар і електроконтактну сітку, який відрізняється тим, що додатково містить тришарову напівпровідникову структуру з аморфного кремнію, яка примикає до прозорого провідного шару з боку металевої...

Номер патенту: 48718

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Личман Кирило Олексійович, Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Кривуца Валентин Антонович, Суворова Лідія Михайлівна, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...

Мітки: надвисокочастотний, кремнієвий, р-i-n, діод

Формула / Реферат:

Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 30533

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Болтовець Микола Силович, Ніколаєнко Юрій Григорович, Суворова Лідія Михайлівна, Кривуца Валентин Антонович, Личман Кирило Олексійович

МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...

Мітки: діод, кремнієвий, надвисокочастотний, безкорпусний, p-і-n

Формула / Реферат:

1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...

Номер патенту: 8455

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Суворова Лідія Михайлівна, Сєдова Марина Олексійовна

МПК: H01L 21/02, H01L 29/86, H01L 21/04 ...

Мітки: безкорпусний, надвисокочастотний, кремнієвий, р-і-n-діод

Формула / Реферат:

Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...