Суворова Лідія Михайлівна
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод
Номер патенту: 48718
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Кривуца Валентин Антонович, Личман Кирило Олексійович, Суворова Лідія Михайлівна
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: кремнієвий, р-i-n, діод, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 30533
Опубліковано: 25.02.2008
Автори: Личман Кирило Олексійович, Суворова Лідія Михайлівна, Кривуца Валентин Антонович, Болтовець Микола Силович, Ніколаєнко Юрій Григорович
МПК: H01L 21/02, H01L 29/86, H01L 21/04 ...
Мітки: надвисокочастотний, безкорпусний, діод, p-і-n, кремнієвий
Формула / Реферат:
1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод
Номер патенту: 8455
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Басанець Володимир Васильович, Суворова Лідія Михайлівна, Болтовець Микола Силович, Сєдова Марина Олексійовна
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: безкорпусний, надвисокочастотний, кремнієвий, р-і-n-діод
Формула / Реферат:
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...